模电高职层八次电子教案.pptVIP

由最大集电极功率损耗PCM、ICM和击穿电压U(BR)CEO，在输出特性曲线上还可以确定过损耗区、过流区和击穿区。输出特性曲线上的过损耗区、过流区、击穿区和安全工作区见下图 输出特性曲线上的过损耗区、过流区、击穿区和安全工作区 1.3.4 晶体管的选用原则 （1）在同一型号的管子中，应选反向电流小的，这样的管子温度稳定性能较好。? 值不宜选得过高，否则管子性能不稳定。 （2）若要求管子的反向电流小，工作温度高，则应选硅管；而当要求导通电压较低时，则应选锗管。 （3）若要求工作频率高，必选用高频管或超高频管；若用于开关电路，则应选用开关管。 （4）必须使管子工作在安全区：注意PCM、ICM、U(BR)CEO值不要超过极限范围。 1.4 场效应晶体管 由于晶体管工作在放大状态时，必须保证发射结正偏，故输入端始终存在输入电流。改变输入电流就可改变输出电流，所以晶体管是电流控制器件，因而晶体管组成的放大器，其输入电阻不高。 场效应晶体管是通过改变输入电压(即利用电场效应)来控制输出电流的，属于电压控制器件，因此输入电阻十分高，可高达上百兆欧。除此之外，场效应晶体管还具有温度稳定性好，抗辐射能力强、噪声低、制造工艺简单、便于集成等优点，所得到广泛的应用。 场效应晶体管分为结型场效应晶体管(JFET)和绝缘栅型场效应晶体管(IGFET)，目前最常用的