模电课件12第到四章场效应管.pptVIP

三、特性曲线 1·4·2 绝缘栅型场效应管（MOSFET） 一、N沟道增强型MOSFET N+ P 型衬底 G B N+ S D uGS uGS uGS(th) uGS ↑ →导电沟道 ↑ uGB ↑ →rDS ↓ (2) iD和导电沟道随uGS和uDS的变化 N+ P 型衬底 G B N+ S D uGS uDS uGS=常数UGS（th） 电位 S ← D 低←高 宽 ←窄 S ← D 有导电沟道的条件 uGD UGS（th） uGD= uGS-uDS UGS（th） uDS uGS- UGS（th） uDS↑ →rDS↑(慢) →iD↑ iD uDS iD O A uDS↑ 导电沟道开始形成uGD= uGS-uDS =UGS（th） 导电沟道开始夹断uGD= uGS-uDS =UGS（th） uDS = uGS- UGS（th） 预夹断 uDS= uGS- UGS（th） 预夹断后 预夹断 uDS uGS- UGS（th） uDS↑ 预夹断后△uDS几乎都降落在夹断区上，而未夹断沟道中的电压基本维持不变。 iD几乎不变略有增大 uDS↑ →反向击穿 S D uDS uGS- uDS UGS（th） uGD= B 沟道部分夹断 3．输出特性曲线 uDS iD 0 uGS=5V uGS= 4V uGS= 3V uGS= 2V u