模电课件第三章(b如obo).pptVIP

(1) 正向特性 雪崩击穿： 反向电压增大-电荷区电场增大-漂移少子能量增大 -能碰撞晶体原子产生碰撞电离- 获得新的电子空穴对-倍增效应-雪崩击穿。 齐纳击穿： 反向电压增大-电荷区电场增大-电场直接破坏共价键-获得新的电子空穴对-较大形成反向电流 总结 PN结的电容效应由扩散电容和势垒电容综合反应。 PN结反向偏置时电阻大，电容小，主要为势垒电容。 正向偏置时，电容大，取决于扩散电容，电阻小。 频率越高，电容效应越显著。 (1) 正向特性 解法二：迭代法 联立方程： 计算过程复杂，实际中常使用简化模型进行分析。 (3) 折线模型（实际模型） 小结 为合理选择和正确使用各种半导体器件，必须熟悉它们各自的一整套参数。这些对数大至可分为两类，一类是性能参数，如稳压管的稳定电压VZ、稳定电流IZ、温度系数等；另一类是极限参数，如二极管的最大整流电流、最高反向工作电压等。 3.5.3 肖特基二极管 （a）符号 （b）正向V-I特性 肖特基二极管：具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压 比较低，在高频得到广泛的应用。 扩散电容示意图 3.2.5 PN结的电容效应 (1) 扩散电容CD：PN结正向偏置时，多数载流子在扩散过程中形成电荷积累，正向电压变化时，其积累的电荷量也变化，这种电容称为扩散电容。 N区的空穴浓度 P区的电子浓度 3