模拟电子技术第5章 场效应管放大电路.ppt

1. N沟道结构 问题：符号中的箭头方向表 示什么？ 5.3.1 JFET的结构和工作原理 2. 工作原理 ① vGS对沟道的控制作用 当vGS＜0时 （以N沟道JFET为例） 当沟道夹断时，对应的栅源电压vGS称为夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。 对于N沟道的JFET，VP 0。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄。 ? ? vGS继续减小，沟道继续变窄。 注意：加的是反偏电压 2. 工作原理 （以N沟道JFET为例） ② vDS对沟道的控制作用 当vGS=0时， vDS? ? iD ? g、d间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。 当vDS增加到使vGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 此时vDS ? ? 夹断区延长? 沟道电阻? ? ? iD基本不变 MOSFET和JFET的沟道途异同归 2. 工作原理 （以N沟道JFET为例） ③ vGS和vDS同时作用时 当VP vGS0 时，导电沟道更容易夹断， 对于同样的vDS ， iD的值比vGS=0时的值要小。 在预夹断处 vGD=vGS-vDS =VP 综上分析可知 ⑴ 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。 ⑶ JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制。 ⑷ 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后， iD趋于饱和。 ⑵ JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因 此iG?0，输入电阻很高。 2. 转移特性 1. 输出特性 (VP≤vGS≤0) 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 N沟道JFET工作条件：Vpvgs?0；vDS vGS－VP 0 与MOSFET类似 3. 主要参数 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 结型场效应管的特性小结 结型场效应管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 vpvgs?0 iD流入d端 0?vgs vp iD流出d端 1. JFET小信号模型 （1） JFET低频小信号模型 ☆5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 2.放大电路 动态指标分析 （1）放大电路中频小信号模型 查直流条件是否满足： 小信号模型等效电路 rds可看作?，不画出也可 输入端：栅极 放大原理：vi??vGS ?? 沟道电阻变小 ? iD?? ?|vo| ??电压放大Av 输出端：漏极 解：画小信号模型电路。 例5.2.5 求共源放大电路 的交流参数。 （2）放大电路分析 s g 公共端：源极 2. 动态指标分析 （2）中频电压增益 （3）输入电阻 （4）输出电阻 忽略 rds ， 由输入输出回路得 则 课堂练习题 1.六种类型的场效应管的转移特性如图所示（iD以流入漏极为正方向）， 试指出其对应的场效应管类型。 N沟道绝缘栅增强型 P沟道绝缘栅增强型 N沟道绝缘栅耗尽型 N沟道结型 P沟道结型 P沟道绝缘栅耗尽型 解： ⑵画中频小信号等效电路 放大电路如图所示。已知 试求电路的中频增益、输入电阻 和输出电阻。 例题 5.5.1 (3) ⑴这是一个场效应管和双极性三极管混合的两级放大电路。场效应管作为输入级，利用其输入电阻高的优点，可克服RS大的影响。 T1组成共源极放大电路 T2组成共基极放大电路 多级放大电路求总的增益可以按分级求，也可以直接列方程求解。 则电压增益为 由于 则 根据电路有 由本题可以看出，场效应管rgs大，使放大电路的Ri提高，因此对VS几乎没有衰减。 例题 1. MOSFET镜像电流源 ro= rds2 MOSFET基本镜像电路流 6.1.2 FET电流源 当VDD、VSS R确定后,Io为恒定的。 特别说明：BJT能构成的所有电路，FET都可以构成。 ☆5.5 各种放大器件电路性能比较 p--240 5.5 各种放大器件电路性能比较 组态对应关系： CE BJT FET CS CC CD CB CG 电压增益： BJT FET CE： CC： CB： CS： CD： CG： 输出电阻： BJT FET 输入电阻： CE： CC： CB： CS： CD： CG： CE： CC： CB： CS： CD： CG： 5.5 各种放大器件电路性能比较 第5章小结 1. 六种类型场效应管的符号和直流工作条件； 2. 六种类型场效应管的转移特性和输出特性； 3. 场效应管放大电路的小信号模型等效电路分析法。 本章作业 5.1.1； 5.1.2； 5.2.5； 5.2.9； 5.3.