SJT 电子元器件详细规范 半导体集成电路CT型TTL四输入与非门(可供认证用).docxVIP

中华人民共棋国国家标准 一 UDC 621.38.。据 7c .049.774 GB 7005 86 TTL 四 2 Detail specification for electronic component Semiconductor integrated ci rcuit 一-CT1000 TτL Quad 2 input NAND gate (可供认证用) 一 一 一 本规段期定了半导体集成电路CT 1000 型 TTL 四 2 输入与非门鉴定和质量评定的全部内容。 本规程是按照GB 5965. 86 ((半导体集成电路豆豆极型门电路空白详细皖南》制订的，并符合 GB 4589. -84 ((半导体集成电路总规程》的要求。 ft1 [玛电 fJL:器件质量认iIE委员会标准辄构是中国电 f技术标准化研究所。 一 都准局 1986-11 … 18发布 一 一 时 卧 幽 ? 一 1981 一例…1) 1 试行 标准分享网 免费下载 ? 国家标准局  GB 7001 一.. ? ? ? 评定器件质量的依据: G B 4589.1 84 ((半导体集成电路 总规范》  I GB 7005 86 CT 1000 型四 2 输人与非门详细规范 订货资料，见本规范第 7 说明 2 明 外形依据: GB 7092 86 ((半 TTL 集成门电路 导体集成电路外形尺寸》 半导体材料z 硅 外形图z 见本规范第 10.1 条 封装=空封、非空封 引出端排列 逻辑符号、逻辑图和功能表见本规范第11 章 品种E 环境温度 型号 。 -70C -55-125 C (C) (M) 1 An 1-14 n V 封装形式 1 Bn 2 陶瓷(0) CTI000CO CTI000MO 1 yn 3 2 A 1 1 4 2 Bn 5 瓷直插(1) 2 Y 1 16 GNDn7 塑料直插 (P)  CT 1000CJ CTI000MJ CTI000CP 陶资扁平 (W) CTI000CW CTIoooMW 宁 全密封扁平 (E)  CTIOOOCF CTI000MF 标志s 按GB 4589 84 第2.5条和本规范第 6 章  s EA , E B , E C , E D , E E 按本规范鉴定，其制造单位的有关资料，可在合格产品一览表中查到 2 GB 7005 .., 86 一 一 摄酿告主(绝时最大 若无其他规定，适用于全工作温度范围。 条款号 参 数 符号 1- M 4. 1 工作环境强度 T A C 毒 .2 贮存温度 T s 4.3 电 电压 民c 4.4 人电!王 V1 4.5 多发射极晶体管输入瑞臼的电压 VII 5 电工作条件和电特性 电特性的拉验要求见本现活第 8 且0 1 电工作条件 若无其他规定，适用于全工作握度范围。 条款号 最 数 符号 M 5. 1. 1 电ff 民c C ..... 5. 1. 2 人高电平电压 V1H 5. 1.事 人慨电平电压 V1L 5. 1. 4 出高电平电流 IOH 5. 1. 15 输出抵电-+电流 I OL 5.2 电特性 若无其他规定，适用于全工作福度击围。  数值 单位 大 一 55 125 。C 。 70 一 65 150 C 7 V 5.5 V R 5.5 V 数{直 单位 大 4.5 5.5 V 4.75 5.25 2 V 0.8 V 一 400 μA 16 mA 3 标准分享网 免费下载 GB 7005 86 一 ……- 条款号 特性和条件〈由 符号 5.2.1 输出高电半电压 VOH 民 c= 最J 、， V1 L = 0.8 V , loH = - 400μA 5.2.2 出{际电乎电压 VOL FuC C - 卜， Vi H = 2 V , IOL = 16mA  规 单位 大 2.4 V 0.4 V  试 A3 A3 5.2.3  人钳位电压 问K  -1. 5 V  A3 uC C - 11、， IIK =甲 12mA 人电流 h 5.2.4 , V1 = 5.5 V hucc-- 5.2.5 入高电~电流 IIH euvC C -, V1H = 2.4 V 5.2.6 人低电半电流 IIL huC C -，只 L = 0.4 V 出短路电流 Mlos 5.2.7 vucc-- C 出高电乎时 电流 ICCH 5.2.8 YCC = 大 5.2.9 出低电乎时 电流 ICCL 大 Ycc 喃-喃  1 mA 40 μA …1. 6 mA - 20 -55 mA -18 - 55 8 mA z 22 mA  A3 A3 A3 A3 A3 A3 5.2. 10 传输延迟