模电第一章演示文稿58篇7502316.pptVIP

1.3.4 晶体管的主要参数 一、直流参数 当uDS=0时，不会产生多子的定向移动，所 以漏极电流iD=0。 若uDS0,则有电流iD,如图1.4.4（a）所示。 因为栅—漏电压uGD=uGS-uDS，所以当uDS从零逐渐增大时，uGD逐渐减小,靠近漏极一边的沟道变窄，到UGD=UGS(off)时称为预夹断。如图（b）所示。在预夹断前，iD随uDS的增大而增大，D-S间呈电阻特性。 预夹断后，若uDS继续增加，则uGD夹断区加长，如图（c）所示。夹断区加长将使iD减小，但uDS增大使电场增强，从而又使iD增大，所以导致iD基本不变，呈恒流特性。 在图1.3.3中，△uI为输入电压信号，它接入基—射回路（输入回路）；放大后的信号在集—射回路（输出回路）。发射极是两个回路的公共端，故称其为共射放大电路。为保证发射结正向偏置、集电结反向偏置以使晶体管工作在放大状态。所以要加VBB和VCC。 一、晶体管内部 载流子的运动 图1..4 在图1.3.3中△uI=0时，晶体管内部载流子运动示 意图如图1.3.4所示。 1、发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流IE； 2、扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动形成基 极电流IB