超短沟道MOSFET电势的二维半解析模型-物理学报.PDF

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 9 (2013) 098502 超短沟道MOSFET 电势的二维半解析模型* 12 1† 1 1 1 韩名君 柯导明 迟晓丽 王敏 王保童 1) ( 安徽大学电子信息工程学院, 合肥 230061 ) 2) ( 芜湖职业技术学院电子信息工程系, 芜湖 241000 ) ( 2012 年11 月14 日收到; 2012 年12 月7 日收到修改稿) 本文根据超短沟道MOSFET 的工作原理, 在绝缘栅和空间电荷区引入两个矩形源, 提出了亚阈值下电势二维分 布的定解问题. 通过半解析法和谱方法相结合, 首次得到了该定解问题的二维半解析解, 解的结果是一个特殊函数, 为无穷级数表达式. 该模型的优点是避免了数值分析时的方程离散化, 表达式不含适配参数、运算量小、精度与数 值解的精度相同, 可直接用于电路模拟程序. 文中计算了沟道长度是45—22 nm 的MOSFET 电势、表面势和阈值电 压. 结果表明, 新模型与Medici 数值分析结果相同. 关键词: 半解析法, 电势, 阈值电压, MOSFET PACS: 85.30.De, 85.30.Tv DOI: 10.7498/aps.62.098502 了二维栅介质层和耗尽层电势的定解问题. 文章首 1 引言 先根据超短沟道MOSFET 的工作原理, 建立了沟道 尺寸在45 nm 以下的二维亚阈值模型, 列出定解问 半导体工艺的迅速发展导致器件尺寸迅速缩 题的二维泊松方程、拉普拉斯方程及其边界条件 小, 例如Intel 将于2015 年开始采用 14 nm 工艺, 和衔接条件. 接下来求解了定解问题, 得到了耗尽 2018 年使用 10 nm 工艺. 这些超深亚微米小尺寸 层和氧化层这两个区域的二维电势分布, 其表达式 器件将使器件的短沟效应、热载流子效应、漏致 是两个无穷级数形式的特殊函数, 级数里各包含了 势垒降低(DIBL) 效应更加严重, 因而需要更精确、 若干个未知系数, 这些未知系数可由线性方程组解 更易于理解的MOSFET 模型. 当前MOSFET 模型 出. 用所得到的模型计算了沟道长度为45—22 nm 分为两大类, 一类是数值模型1−4 , Kasai 等采用差 的MOSFET 电势分布、表面势和阈值电压, 并将结 分法直接求解泊松方程和电流连续方程, Hadji 等 果与数值模拟程序Medici 结果对比, 验证了半解析 则采用有限元方法. 这类模型的优点是计算准确, 模型的正确性, 其精确度与Medici 模拟精度相同. 精度高, 缺点是运算量大, 其参数缺少物理意义, 无 法用于例如SPICE 之类的电路模拟程序中. 另一 2 电势半解析模型 类是解析模型, 但这些模型采用了一些与实际器件 不同的假设, 其结果有误差, 或者需要提供适配参 2.1 电势模型建立 5−8 9 数 . 例如SPICE 程序里的BSIM 模型 , 由于 只采用准二维解的方法, 将其用在电路模拟程序时, 众所周知, MOSFET 在亚阈值下, Si 的空间电 适配参数高达两百多个, 给电路设计和器件设计带 荷区或者处在耗尽状态, 或者正在从耗尽向弱反型 来了众多不便.