MEMS加工工艺解析.ppt

* 通过调整玻璃的组分和含量，使其CTE与硅十分接近，避免因为CTE失配引起热应力. 此外，对于410、430温度的键合工艺进行了吹入压缩空气快速冷却，其温度下降趋势较350、380度快 * 410oC键合横断面的SEM图。在Si和玻璃的键合界面处，出现了很明显的扩散层，这证明键合是成功的。 玻璃层的右上角有一个较大的气泡。如何除去气泡也是待研究的问题 * 410oC键合拉断试样的SEM图。在拉断试样发现，强大的键合力迫使硅片本身发生了脆性的断裂，产生的鱼鳞状的断裂形貌是脆性断裂的典型表现， 而键合的渗透层清晰可见 * * * 两片(100)型硅，一片p型，在衬底上外延一层n型硅膜；另一片n型(100)硅膜用各向异性腐蚀法腐蚀出锥形槽； 将两片硅直接键合在一起；腐蚀掉第一片硅的p型衬底（即减薄第一个硅片），并在其上制作离子注入电阻；用抛光的方法，按照设计的尺寸减薄第二片硅，最后形成压力传感器芯片 * 电子束光刻，在扫描电子显微镜基础上发展而来的电子束光刻系统。最先进的系统如Leica光刻公司的100kev VB6HR矢量扫描电子束曝光机，提供了小至几纳米的高斯束探针。激光控制的工作台允许基本图形拼接形成整体图形。这些系统提供了独特的灵活手段，适用于没有最终分辩损失的纳米技术要求的MEMS器件加工。 聚焦离子束光刻，经过10～15年的发展在半导体业内已被接受。其与扫描显微镜，精密刻蚀