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模拟电子技术
试题汇编
成都理工大学工程技术学院
电子技术基础教研室
2010-9
模拟电子技术试题汇编
第一章 半导体器件
一、填空题
1、本征硅中若掺入5价元素的原子,则多数载流子应是 电子 ,少数载
流子应是 空穴 。
2、 在N型半导体中,电子浓度 大于 空穴浓度,而在P型半导体中,电
子浓度 小于 空穴浓度。
3、PN结反向偏置时,空间电荷区将变 宽 。
4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是_____饱和_____区、______放大___
区、__截止________区。
5、场效应管分为两大类:一类称为_结型场效应管___________,另一类称为__
绝缘栅场效应管_______。
6、PN结外加反向电压,即电源的正极接N区,电源的负极接P区,这种接法称
为___反向接法_______或_反向偏置_________。
7、半导体二极管的基本特性是 单向导电性 ____,在电路中可以起___整
流____和___检波____等作用。
8、双极型半导体三极管按结构可分为__NPN_____型和__PNP_____型两种,它们
的符号分别为_______和________。
9、PN结中进行着两种载流子的运动:多数载流子的 扩散 运动和少数载
流子的___漂移_____运动。
10、硅二极管的死区电压约为__0.5____V,锗二极管的死区电压约为__0.1____V。
11、晶体管穿透电流I CEO 是反向饱 和电流I CBO 的___1+β_______倍,在选用晶
体管的时候,一般希望I CBO 尽量___小_______。
g m
12、场效应管实现放大作用的重要参数是___跨导_ ______。
13、PN结具有__单向导电_______特性。
14、双极型三极管有两个PN结,分别是___集电结____和_发射结______。
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模拟电子技术试题汇编
15、为了保证三极管工作在放大区,应使发射结_____正向________偏置,集电
路______反向_______偏置。
16、场效应管是____电压______控制型元件,而双极型三极管是____电流_______
控制型元件。
17、本征硅中若掺入3价元素的原子,则多数载流子应是 空穴 ,少数载
流子应是 电子 。
18、P型半导体的多数载流子是 空穴 ,少数载流子是 电子 。
19、PN结外加正向电压,即电源的正极接P区,电源的负极接N区,这种接法称
为 正向接法 或_正向偏置______。
20、从双极型三极管内部三个区引出三个电极,分别是_集电极______、___发射
极____和__基极______。
21、双极型三极管起放大作用的外部条件是:(1)发射结外加_正_
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