能带理论(2)(微扰计算、能带、带隙).ppt

自由电子气模型： 把价电子处理成自由电子气，如何处理离子实？ 正电背景：均匀分布保持电中性 为什么正离子的周期性势场能被忽略？ 考察金属，区域：芯区，其余区域 核电荷+Z 芯电子-d 在芯区外，受核与屏蔽电子的联合作用势——赝势——非常弱 电子在其余区域可看成自由电子 ?微扰法 能带的定量计算 — 微扰法 将H分成两部分 零势场 微扰 零级解 能量 波函数 L=Na 由于周期性条件的限制，波矢k只能取下列值： l为整数，N为原胞的数目，a晶格常数。 微扰部分 周期性势场，可作Fourier展开 V(0)常数，可通过能量零点平移来消除。Fourier系数 零势场 微扰的Fourier展开 零级解能量 零级波函数 L=Na 或常数，等于能量零点作平移 非简并情况 L=Na 平面波 能量修正 (二级) 波函数修正 （一级） 被周期势场散射 看微扰波函数是否仍满足Bloch定理？ V本身很小。如果k不在边界，分母不为零，影响很小！因此，除边界外，类自由电子的结果。 当 散射波振幅趋于无限大！ Bragg 反射加强条件！ 0 -p/a p/a k 1st Brillouin zone 如果k在Brillouin边界,被周期势场散射的振幅无限大，非简并微扰不适用。 简并情况 两态能量相同 简并 用简并微扰 （D 为小量） 零级波函数为两波函数的线性组合 如果 动能 令D ? 0 简并态出现 能量分裂！ 禁带宽度 例题：设晶格常数为a的一维晶格的周期性势场为 用自由电子近似的微扰论，近似地求出布里渊区边界?/a处的能隙 解： 把U(x)展开为复数傅立叶级数 我们发现傅立叶系数只有两个，即 而布里渊区边界?/a正好是第一布里渊的边界，能级在此发生分裂，分裂值为 考虑一个二维正方格子，其晶格势场为 用自由电子近似的微扰论，近似地求出布里渊区顶角（ ?/a， ?/a ）处的能隙 考虑一个二维正方格子，其晶格势场为 在U(x)展开为复数傅立叶级数时只有4个系数，即 V(1, 1), V(1, -1), V(-1, 1) 和V(-1, -1) 而布里渊区顶角（ ?/a， ?/a ）恰好为二维正方格子的第一布里渊区边界，能级在此发生分裂，分裂值为 k E k E p/a -p/a 零势场，自由电子运动的能级 在Brillouin边界处，能级发生分裂Eg 如果能带全部填满，k和-k对称地被填满，对电流的贡献互相抵消。即使在外场的作用下，没有空的k的态可以使电子分布有变化，所以对电流没有贡献 如果能带没有填满，导电电子自由地响应外场的作用－漂移，在外电场方向引起整体漂移，对称的部分相互抵消，不对称的部分形成电流 导电情况看能带填充情况 定性地解释导电 k E 投影能带 将能带往某一方向投影，得到所谓的投影能带 -p/a p/a 能级 带1 带3 带5 带4 带2 被填充的能带 禁带 Metal E(k) 金属、绝缘体、半导体、半金属解释 Insulator Eg~10eV Semiconductor Eg~1eV 小结：微扰法和能带填充与导电 能带和能隙：空晶格模型和弱周期势场近似 能隙的起因：散射形成驻波，与平面波相比，驻波势能或高或低于平面波，在B区边界零级近似的简并能级分裂而形成能隙 非简并微扰：除B区边界外，晶体势场对其他区域能带的影响可忽略 简并微扰：能隙宽度是势Fourier展开系数的两倍：Eg=2|V(n)| 金属、绝缘体能带论判据：能带填充情况