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第四章 单极型场效应管及其放大电路 4. 场效应管放大电路 引言 基本概念 FET分类 结型场效应管 JFET结构与符号 JFET结构（P沟道） 工作原理（1、2） 工作原理（3） JFET特性曲线 JFET输出特性上的工作区域 JFET转移特性曲线 金属-氧化物-半导体场效应管 MOSFET结构与符号（N沟道增强型） MOSFET结构与符号（P沟道增强） MOSFET特性曲线1 MOSFET（耗尽型）结构与符号 （MOSFET）使用注意 场效应管放大电路 直流偏置 小结 作业 主要内容 介绍结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOSFET）的工作原理、特性曲线。 §4.1JFET §4.3MOSFET 介绍各种场效应管放大电路。 §4.4 介绍场效应管放大电路的分析方法 静态分析和动态分析；其分析方法与三极管放大电路相同， 估算法、图解法和小信号模型法。 §4.4 最后对各种放大电路进行比较。 本章要求 了解FET的工作原理，熟悉其特性曲线 掌握Q点、AV、Ri、Ro计算 掌握基本概念 沟道，夹断，预夹断，自偏压，增强，耗尽等等。 输出特性： 10 20 2 4 0 6 可变电阻区 放大（饱和）区 截止区 击穿区 MOSFET特性曲线2 (1) 可变电阻区 a. vDS较小，沟道尚未夹断 b. vDS ＜ vGS- |VT| c.管子相当于受vGS控制的