2.4典型全李控型器件.pptVIP

IGBT的关断过程 关断延迟时间td(off) ——从uGE后沿下降到其幅值90%的时刻起，到iC下降至90%ICM 。 电流下降时间——iC从90%ICM下降至10%ICM 。 关断时间toff——关断延迟时间与电流下降之和。 电流下降时间又可分为tfi1和tfi2两段。tfi1——IGBT内部的MOSFET的关断过程，iC下降较快；tfi2——IGBT内部的PNP晶体管的关断过程，iC下降较慢。 3. IGBT的主要参数 1) 最大集射极间电压UCES ——由内部PNP晶体管的击穿电压确定。 2)? 最大集电极电流 ——包括额定直流电流IC和1ms脉宽最大电流ICP 。 3) 最大集电极功耗PCM ——正常工作温度下允许的最大功耗 。 IGBT的特性和参数特点可以总结如下： (1)??开关速度高，开关损耗小。在电压1000V以上时，开关损耗只有GTR的1/10，与电力MOSFET相当。 (2)?相同电压和电流定额时，安全工作区比GTR大，且具有耐脉冲电流冲击能力。 (3)??通态压降比VDMOSFET低，特别是在电流较大的区域。 (4)?? 输入阻抗高，输入特性与MOSFET类似。 (5) 与MOSFET和GTR相比，耐压和通流能力还可以进一步提高，同时保持开关频率高的特点 。 4. IGBT的擎住效应和安全工作区 仔细观察IGBT的内部结构，会发现：IGBT除了PNP这个晶体管外，还寄生着一个NPN晶体管。他与PNP管一起相当于构成了一个寄生晶闸管。而且在NPN的基区与射极之间存在着一个RS电阻。 1)擎住效应或自锁效应 当IGBT通电时，部分电流会流过RS，在上面产生压降，一般情况下，这个压降较小，不足以使NPN管导通。 但若ic增大到一定程度，这个压降就会使NPN管导通，这时就相当于给这个寄生晶闸管门极一定的电流，它会马上饱和导通，即使IGBT的栅极失去控制能力，这个现象叫做擎住效应。 一旦发生擎住效应，器件失效，集电极电流很大，造成过高的功耗，将使器件损坏。 故IGBT的集电极电流有一个临界值ICM，ic不能大于此值。 擎住效应 动态擎住效应：由于MOSFET部分关断速度很快，使duCE/dt很大，从而产生了过大的电流，使NPN管导通。 静态擎住效应：Ic Icm 动态擎住效应比静态擎住效应所允许的集电极电流小。 1.安全工作区 IGBT的正偏安全工作区 正偏安全工作区（FBSOA） ——最大集电极电流ICM、最大集射极间电压Uceo和最大集电极功耗确定。 IGBT的反偏安全工作区 反向偏置安全工作区（RBSOA） ——最大集电极电流、最大集射极间电压和最大允许电压上升率duCE/dt确定。 擎住效应曾限制IGBT电流容量提高，20世纪90年代中后期开始逐渐解决。 IGBT往往与反并联的快速二极管封装在一起，制成模块，成为逆导器件 。 2.5.1 MOS控制晶闸管MCT MCT（MOS Controlled Thyristor）——MOSFET与晶闸管的复合 MCT结合了二者的优点： MOSFET的高输入阻抗、低驱动功率、快速的开关过程。 晶闸管的高电压大电流、低导通压降。 一个MCT器件由105个MCT元组成，每个元的组成为：一个PNPN晶闸管，一个控制该晶闸管开通的MOSFET，和一个控制该晶闸管关断的MOSFET。 MCT具有高电压、大电流、高载流密度、低导通压降的特点。其通态压降只有GTR的1/3左右，还可承受极高的di/dt和du/dt，使其外围保护电路简化，开关速度也超过了GTR。 MCT曾一度被认为是一种最有发展前途的电力电子器件。因此，20世纪80年代以来一度成为研究的热点。但其结构工艺比较复杂，尚待进一步开发。 2.5.2 静电感应晶体管SIT SIT（Static Induction Transistor）——1970年，结型场效应晶体管 小功率SIT器件的横向导电结构改为垂直导电结构，即可制成大功率的SIT器件。 属于多子导电的器件，工作频率与电力MOSFET相当，甚至更高，功率容量更大，因而适用于高频大功率场合。 在雷达通信设备、超声波功率放大、脉冲功率放大和高频感应加热等领域获得应用。 特点： 工作频率高 垂直导电，易实现大规模的多沟道并联和多胞合成，电流容量大，增益高 源漏区分别位于硅片的相反面上，易避免电场集中，加上漏源之间有足够厚的高阻后，易得到高耐压性 不存在二次击穿现象 压控型器件，易驱动 输出阻抗低，输出功率大，负载能力强 缺点： 栅极不加信号时导通，加负偏压时关断，称为正常导通型器件，使用不太方便。 通态电阻较大，通态损耗也大，因而还未在大多数电力电子设备中得到广泛应用。 2.5.3 静电感应晶闸管SITH SITH（Static I