NiHfO2Pt阻变单元特性与机理研究.PDFVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 14 (2014) 147301 Ni/HfO /Pt 阻变单元特性与机理的研究 庞华 邓宁 (清华大学微电子学研究所, 北京 100084) ( 2014 年2 月20 日收到; 2014 年4 月3 日收到修改稿) 研究了Ni/HfO (10 nm)/Pt 存储单元的阻变特性和机理. 该器件具有forming-free 的性质, 还表现出与 以往HfO (3 nm) 基器件不同的复杂的非极性阻变特性, 并且具有较大的存储窗口值( ). 存储单元的低 阻态阻值不随单元面积改变, 符合导电细丝阻变机理的特征. 采用X 射线光电子能谱仪分析器件处于低阻态 时的阻变层HfO 薄膜的化学组分以及元素的化学态, 结果表明, Ni/HfO /Pt 阻