模拟电子技术 教案..docVIP

PAGE PAGE 16 第一章 半导体器件基础 教学目标： 了解半导体基础知识； 掌握二极管基础知识， 掌握二极管应用； 掌握双极型晶体管（BJT）工作原理，静态伏安特性曲线，BJT的主要参数； 对比学习场效应管（FET）的原理和特性曲线。 重难点： PN结内部载流子的运动，PN结的特性，二极管的单向导电性、三极管的电流放大作用、场效应管的压控特性，以及三种器件的等效电路。 PN结的形成原理，器件的非线性伏安特性方程和曲线，场效应管的工作原理。 教学方法： 讲授法，多媒体演示法，实验指导法 教学学时：12学时 教学内容： 1、2节 1、介绍本课程目的，教学参考书，本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法； 2、半导体基础知识，半导体，杂质半导体； 重点: PN结的形成过程。 3、4节 PN结的特点，PN结的几个特性: 单向导电性、伏安特性、温度特性、电容特性。 重点: PN结的单向导电性、伏安特性曲线的意义，伏安方程的应用。 5节 半导体二极管结构和电路符号，基本特点，等效电路； 稳压二极管工作原理，电路符号和特点，等效电路； 典型限幅电路和稳压电路的分析。 重点：两种管子的电路符号和特点。 6、7、8节 BJT结构、类型，电路符号，三种工作模式； 放大模式下载流子的运动过程，电流放大作用和电流分配关系； BJT共射特性曲线（输入、输出）； 介绍BJT的主要参数和极限参数。 例题：器件选择，管脚判断 重点: 电流分配关系、伏安特性曲线的特点和应用。 9、10节： BJT的小信号等效电路分析。 首先引入BJT直流模型，交流模型，共射h参数模型的概念，得到重要的小信号简化等效电路； 强调各h参数的物理意义； 重点:BJT三种接法电路的小信号等效电路 11、12节： FET分类介绍，以N沟道NEMOS管为例介绍FET工作过程，NEMOS管的输出特性曲线，转移特性曲线； 小结FET、BJT的特性差异； 讲课过程中强调FET、BJT的对比性学习； NEMOS管的主要参数和极限参数。 重点: N沟道NEMOS管的工作过程，NEMOS管的输出特性曲线的分区。 第二章 放大电路基础 教学目标： 理解放大器的一些基本概念 掌握BJT的简化模型及其模型参数的求解方法； 掌握BJT的偏置电路，及静态工作点的估算方法； 掌握BJT的三种基本组态放大电路的组成，指标，特点及分析方法； 掌握FET的偏置电路的工作和方法； 掌握多级放大电路级间耦合方式及计算； 掌握差分放大器的基本概念、特点和工作点的估算，交流特性指标分析方法，差分放大器抑制零漂的原理；互补对称输出级的工作原理和改进； 理解放大器的频率响应的概念和描述， 掌握放大器的低频、高频截止频率的估算，单管放大器的频率响应的分析，波特图的折线画法。 重难点： 以CE放大电路为例介绍基本放大电路的组成、工作原理、分析方法。 零点漂移现象； 差动放大器对差模信号的放大作用和对共模信号的抑制作用； 半电路分析方法。 电流源电路的结构和工作原理、特点； 直接耦合互补输出级电路的结构原理、特点，交越失真的概念； 频率响应的概述，波特图的定义； BJT的简化混合高频等效模型，单管共射放大器中频段、低频段、高频段的频率响应的分析和波特图的画法。 对放大概念的理解； 等效模型的应用； 对电路近似分析的把握。 对差模信号共模信号的理解，对任意信号单端输入、单端输出差动放大器的分析； 多级放大器前后级之间的相互影响。 教学方法： 讲授法，多媒体演示法，实验指导法 教学学时：30学时 教学内容： 13、14节： 介绍放大器的一些基本概念，放大器电路方框图，放大器的主要性能指标； 共射放大器组成原则，电路各元件的作用， 介绍Q点定义及其合理设置的重要性， 放大电路的工作原理，信号在放大电路各点的传输波形变化； 放大电路组成原则。 重点: 强调对于各个基本概念的理解和掌握。 15、16节： 对放大电路进行分析，介绍直流、交流通路的画法原则，并例举几个电路示范； 采用图解法对放大电路的Q点、电压放大倍数和失真情况进行分析，强调交、直流负载线的区别。 17、18节： 再对一个典型共射放大电路进行完整的动态参数分析，并对其分析结果进行详细分析和讨论，从而作为此部分的一个小结。 重点: 直流、交流通路的画法原则， 典型共射放大电路进行完整的动态参数分析。 19、20节： 讨论放大电路Q点的稳定性。 从影响Q点稳定的因素入手，在固定偏流电路的基础上介绍分压偏置电路，并对其稳定静态工作点的原理进行详细分析。 对典型分压偏置共射放大器进行直流分析，强调直流分析中VCC的分割，工程近似法计算Q点； 对典型分压偏置共射放大器进行交流分析，强调交流分析中RE的作用，放大倍数的提高； 由放大倍数的提高引入采用有源负载的共射放大