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单片机基础
第6章 单片机并行存储器扩展
（一）填空题
使用8KB×8位的RAM芯片，用译码法扩展64KB×8位的外部数据存储器，需要（8）片存储芯片，共需使用（16）条地址线，其中（13）条用于存储单元选择，（3）条用于芯片选择。
三态缓冲器的三态分别是（低电平状态）、（高电平状态）和（高阻抗状态）。
80C51单片机系统整个存储空间由4部分组成，分别为（256B）个地址单元的内部（数据）存储器，（4KB）个地址单元的内部（程序）存储器，（64KB）个地址单元的外部（数据）存储器，（60KB）个地址单元的外部（程序）存储器。
在80C51单片机系统中，为外扩展
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