模电设计-电流镜负载差分放大器.docVIP

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
PAGE 模拟集成电路课程设计报告 电流镜负载的差分放大器 摘要: 差分放大器是最重要的电路发明之一,它可以追溯到真空管时代。有于差动放大具有很多有用的特性,像对差模输入信号的放大作用和对共模输入信号的抑制作用,所以它已经成为当代高性能模拟电路和混合信号电路的主要选择。电流源在差分放大器中广泛应用,电流源起一个大电阻的作用,但不消耗过多的电压余度。在模拟电路中,电流源的设计是基于对基准电流的“复制”,稳定的基准电流则由一个相对复杂的电路来产生。在电流镜中,只需调整MOS管的W/L就能获得不同的、精确的复制电流。在本课程设计中,将根据典型电流镜负载差动对中,增益、带宽与MOS管W/L之间的关系,获得满足要求的放大器。 TOC \o 1-3 \h \z \u HYPERLINK \l _Toc440495788 一.设计目标 PAGEREF _Toc440495788 \h - 1 - HYPERLINK \l _Toc440495789 二.单个MOS管的的特性 PAGEREF _Toc440495789 \h - 2 - HYPERLINK \l _Toc440495790 2.1 、NMOS特性仿真 PAGEREF _Toc440495790 \h - 2 - HYPERLINK \l _Toc440495791 2.2 、PMOS特性仿真 PAGEREF _Toc440495791 \h - 4 - HYPERLINK \l _Toc440495792 三.电路设计与参数推导 PAGEREF _Toc440495792 \h - 6 - HYPERLINK \l _Toc440495793 3.1电路设计: PAGEREF _Toc440495793 \h - 6 - HYPERLINK \l _Toc440495794 3.2手工推导参数 PAGEREF _Toc440495794 \h - 7 - HYPERLINK \l _Toc440495795 四.差分放大器仿真 PAGEREF _Toc440495795 \h - 9 - HYPERLINK \l _Toc440495796 4.1、HSPICE仿真: PAGEREF _Toc440495796 \h - 9 - HYPERLINK \l _Toc440495797 4.2、器件参数修改 PAGEREF _Toc440495797 \h - 10 - HYPERLINK \l _Toc440495798 4.3 仿真波形 PAGEREF _Toc440495798 \h - 11 - HYPERLINK \l _Toc440495799 4.2、共模电平的范围: PAGEREF _Toc440495799 \h - 13 - HYPERLINK \l _Toc440495800 4.3 数据对比 PAGEREF _Toc440495800 \h - 16 - HYPERLINK \l _Toc440495801 五.总结 PAGEREF _Toc440495801 \h - 17 - PAGE \* MERGEFORMAT- 17 - PAGE \* MERGEFORMAT- 1 - 一.设计目标 设计一款差分放大器,要求满足性能指标: 负载电容 对管的m取4的倍数 低频开环增益100 GBW(增益带宽积)30MHz 输入共模范围3V 功耗、面积尽量小 参考电路图: 二.单个MOS管的的特性 MOS管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)你场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。 2.1 、NMOS特性仿真 电路图如下: HSPICE仿真: * Project NMOS * Innoveda Wirelist Created with Version 6.3.5 * Inifile : * Options : -h -d -n -m -z -x -c6 * Levels : * .prot .lib D:\ePD\05model\05model\h05hvcddtt09v01.lib tt .lib D:\ePD\05model\05model\h05hvcddtt09v01.lib res .li

文档评论(0)

yigang0925 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档