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雷衍连, 陈平, 李峰, 巧明, 孙际翔 and 熊祖洪
Citation: 中国科学: 物理学 力学 天文学 41, 249 (2011 ); doi: 10.1360/132010-1135
View online: http://engine. /doi/10.1360/132010-1135
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Publi hed by the 《中国科学》杂志社
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中国科学: 物理学 力学 天文学 2011 年 第41 卷 第3 期: 249 ~ 255
SCIENTIA SINICA Phys, Mech Astron SCIENCE CHINA PRESS
论 文
利用瞬态电致发光研究有机小分子发光器件中
延迟荧光的发射机理
① ① ②* ① ② ①*
雷衍连 , 陈平 , 李峰 , 张巧明 , 孙际翔 , 熊祖洪
①西南大学物理科学与技术学院, 发光与实时分析教育部重点实验室, 重庆 400715;
② 吉林大学超分子结构与材料国家重点实验室, 长春 130012
* 联系人, E-mail: zhxiong@; lifeng01@
收稿日期: 2010-11-24; 接收日期: 2010-12-20
国家自然科学基金(批准号: 、重庆市科委自然科学基金资助项目(编号: CSTC, 2010BA6002)和中央高校基本科研
业务费专项资金资助项目(编号: XDJK2009A001)
摘要 制备了两种基于Alq 的有机小分子发光器件, 其结构分别为: ITO/NPB/Alq /LiF/Al 和ITO/NPB/Alq :
3 3 3
DCM/Alq3/LiF/Al. 利用瞬态电致发光技术, 研究了这两种发光器件中延迟荧光的发射机理. 发现在Alq3 的双
层器件中, 延迟荧光较弱, 且主要是由电荷延迟注入所形成的单重态激子退激产生; 而在Alq3:DCM 染料掺杂
器件中, 延迟荧光较强. 通过分析Alq3:DCM 掺杂器件的延迟荧光对反偏压和脉冲偏压脉宽的依赖关系, 进一
步发现掺杂器件的延迟荧光主要来自于发光层中受陷电荷释放后的再复合过程以及DCM 客体分子中的三重
态-三重态激子淬灭(Triplet-Triplet Annihilation, TTA)过程. 其中, TTA 过程是Alq3:DCM 掺杂器件中延迟荧光
产生的主要机制.
关键词 瞬态电致发光, 延迟荧光, 受陷电荷, 三重态激子淬灭
PACS: 78.55.Kz, 78.60.Fi, 71.35.-y, 73.50. Gr
1987 年, Tang 和 VanSlyke[1]基于有机小分子材 与之相关的微观机理
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