Flash存储器的技术和发展.docVIP

WORD格式.可编辑 技术资料.整理分享 湘潭大学论文 题 目： 关于Flash存储器的技术和发展 学 院： 材料与光电物理学院 专 业： 微电子学 学 号： 2010700518 姓 名： 李翼缚 完成日期： 2014.2.24 目 录 TOC \o 1-3 \h \z \u HYPERLINK \l _Toc381019085 1　引　言 PAGEREF _Toc381019085 \h 4 HYPERLINK \l _Toc381019086 2　Flash 存储器的基本工作原理 PAGEREF _Toc381019086 \h 4 HYPERLINK \l _Toc381019087 3?Flash存储器的编程机制 PAGEREF _Toc381019087 \h 5 HYPERLINK \l _Toc381019088 3.1?沟道热电子注入(CHE) PAGEREF _Toc381019088 \h 5 HYPERLINK \l _Toc381019089 3.2?F-N隧穿效应(F-NTunneling) PAGEREF _Toc381019089 \h 6 HYPERLINK \l _Toc381019090 4?Flash存储器的单元结构 PAGEREF _Toc381019090 \h 6 HYPERLINK \l _Toc381019091 5?Flash存储器的可靠性 PAGEREF _Toc381019091 \h 7 HYPERLINK \l _Toc381019092 5.1?CHE编程条件下的可靠性机制 PAGEREF _Toc381019092 \h 8 HYPERLINK \l _Toc381019093 5.2?隧道氧化层高场应力下的可靠性机制 PAGEREF _Toc381019093 \h 8 HYPERLINK \l _Toc381019094 6?Flash存储器的发展现状和未来趋势 PAGEREF _Toc381019094 \h 9 HYPERLINK \l _Toc381019095 参考文献: PAGEREF _Toc381019095 \h 10 关于Flash存储器的技术和发展 摘要:Flash 存储器是在20世纪80年代末逐渐发展起来的一种新型半导体不挥发性存储器,它具有结构简单、高密度、低成本、高可靠性和在系统的电可擦除性等优点, 是当今半导体存储器市场中发展最为迅速的一种存储器。文章对 F lash 存储器的发展历史和工作机理、单元结构与阵列结构、可靠性、世界发展的现状和未来趋势等进行了深入的探讨。 关键词: 半导体存储器;不挥发性存储器; Flash存储器; ETOX结构 About Flash Memory Technology and Its Development Abstract: As a new non -volatile semiconductor memory introduced by Masuoka in 1984, flash memory has a number of advantages, such as simple structure, high integration density, low cost, and high reliability, and it is widely used in mobile phone, digital camer a, PCBIOS, DVD player, and soon. Its evolution, programming mechanism, cell structure, array structure, reliability are described, and its developing trend in the future is dis cussed. Key words: Semiconduct or memory; Flash memor y; Non-volatile memory ; ETOX  1　引　言 随着微电子技术和计算机技术的迅速发展, 我们正迈向一个信息社会。信息社会离不开信息的存贮。近半个世纪以来, 人们不断地探索存贮新技术,形成了品种繁多的存储器家族, 其中的半