功率驱动电路设计.pptVIP

功率MOSFET是一种单极性器件，导通时只有一种极性的载流子（多子）参与导电。（如N型MOS管，多子是电子） 功率MOSFET是一种集成器件，也就是说一个功率MOS管通常有许多元细胞并联而成。（一个40A的管子由上万个单元并联而成）。 栅极与基片之间用SiO2隔离，因此它同其它两个极之间是绝缘的，故MOS管输入阻抗非常高。 MOS管的极间电容比较大，尤其它的输入电容可达几百PF。 2.MOS管主要技术参数 漏源电压BVDS MOSFET的工作电压主要由MOS管的漏极击穿电压BVDS决定，而BVDS又是J1结的反偏电压极限值。BVDS随温度而变化，在一定的范围内大约结温度每升高10℃，BVDS增加1%，也就是说结温上升，耐压值也上升。（而双极型晶体管则相反）。 最大漏极电流IDmax 标称MOS管电流额定参数。MOS管的额定电流主要由沟道宽度决定，提高IDmax主要靠增加单位管芯面积的沟道宽度。 极间电容 功率场效应管极间电容是影响器件开关频率的主要因素。三个极间电容如图1-14所示。 输入电容：Ciss=CGS+CGD 输出电容：Coss=CDS+CGD E、MOS管全桥驱动电路 全桥驱动可用2片半桥驱动集成电路（IR2110）： * 功率驱动电路设计 一、功率场效应晶体管（MOSFET） 1、功率场效应晶体管结构特点 图1-1