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晶体、晶振可靠性应用规范 晶体、晶振的概念和基本原理 晶体的基本原理和分类 晶体的基本原理 晶体谐振器、简称晶体：它是晶体经过弯曲、切割或者其他的处理，并安装底座和外壳，形成我们晶体看到的晶体器件。 晶体是由等效电容、电阻、电感组做的振荡电路。晶体是无缘器件，它没有电压问题，信号电平是可变的，即由起振电路决定的，所以同样的晶体可以适用于多种电压。 用于基频振动的晶体称为基音晶体，用于泛音振动的晶体称为泛音晶体，从等效电子模型来看，泛音晶体和普通晶体的不同之处在于，两种电路中除了C0以外阻、容、感参数值都不同。为了方便讲述，两种晶体采用不同的表示方式，泛音晶振等效电路为C0+C10+L10+R10，而普通晶体的等效电路为C0+C1+L1+R1。 晶体等效模型 参数 取值 R1 typ/max (fundamental mode) 50/80 [kOhm] C1 typ (fundamental mode) 2.1±20%[fF] L1 (fundamental mode) 1 C0 typ (for both modes) 1.4±20%[pF] R10 typ(overtone 200kHz) 6 (worst case)[kOhm] C10 typ (overtone 200kHz) 700±30%[fF] L10(overtone 200kHz) 1 C0 :静态电容、是以水晶为介质，两个电极形成的电容，通常为几个pF C1、C10：动态电容，表示石英谐振器的机械特性，为fF级（10-15） R1、R10：动态电阻，表示谐振器振动时候的能量消耗，从几十欧到几千欧不等 L1、L10：动态电感，表示谐振器的振动质量，为mH级 对于一般的应用，如果条件允许，建议选用晶体，尤其是产量较大的产品。但无源晶体相对于晶振而言，缺陷是信号质量较差，通常需要精确匹配外围电路（用于型号匹配的电容、电感、电阻等），更换不同频率的晶体时周边配置电路需要做相应的调整。总的来说吗，石英晶体精度较高，陶瓷晶体精度较低。 晶体的分类 按照晶体的振荡实现方式，可以分为三种：Flexure mode、Extension mode和Thickness Shear mode。 Flexure mode：曲变振动型晶体，通常的音叉晶体就是这类晶体。通过调整晶体的弯曲度来调整晶体的输出频率，这类晶体有两种应用：a）小于200kHz的基频模式应用；b）200~560kHz的谐振应用。这类晶体的功耗都很小（1μW左右），但温度性能较差，主要用于电源存储或者睡眠晶体、RTC低功率晶体要求场合。 Extension mode：伸缩振动晶体，主要用于569~2100kHz，温度性能较Flexure mode要好，较Thickness Shear mode差。 Thickness Shear mode：厚度切变形振动型晶体。这类晶体通过不同厚度和切的角度控制晶体的频率、通常的切型包括：AT切、BT切、SC切等。AT切石英晶体，因具有零温度系数点，且零温度系数点大致落在大气环境温度范围内，具有好的温度特性而被广泛应用。 厚度切变型晶体有三种应用：a）2~30Mhz的fundamental模式（基础晶体）；b）30~250Mhz基频晶体，频率在2MHz~30MHz的为standard manufactured fundamental mode;30MHz~250MHz的是high frequency fundamentals/inverted mesa晶体；c）多次谐波的高频晶体，AT切石英晶体一般为3,5,7等奇次谐波。而音叉性晶体，其泛音频率为6次谐波。谐波晶体通常应用在VCXO、TCXO、OCXO等晶振上。Thickness Shear mode晶体的功耗相对于前面两种晶体的功耗要大（500μW） 三种模式的晶体谐振器 晶体的封装 常见的晶体封装形式见下表 HC49U/S HC49U HC49U/SMD UM1 UM5 SMD 圆柱晶体 晶振的基本原理及分类 晶振的基本原理 晶体振荡器（简称晶振）的基本功能就是把直流电能转变具有一定频率、一定幅度和频率高度稳定的交流电能。 振荡器的种类很多，从振荡电路中有源器件的特性和形成的振荡的原理来看，可以把振荡器分为反馈型和负阻性两大类。前者是振荡回路通过正反馈网络和有源器件连接成的振荡电路；后者是把一个呈现负阻特性的两端有源器件直接与谐振电路连接构成的振荡电路。下面主要介绍负阻型晶振器件的可靠应用。 晶体负阻振荡器的基本结构主要是由放大网络、选频网络、反馈网络和输出网络组成。 放大网络：具有功率增益的放大网络，在起振时工作在线性区，将噪声信号或输入信号进行放大；一旦振荡已经建立，放大网络进入非线性状态，环路增益下降，达到稳幅和频率