半导体物理基础..pptVIP

第1章 光辐射探测的理论基础 1.2 半导体物理基础 1.2.1 能带理论 2．半导体能带 2．半导体能带 N型半导体能带 N型半导体 P型半导体能带 P型半导体 2．半导体能带 1.2 半导体物理基础 1.2.2 热平衡状态下的载流子 费米能级Ef的物理意义 电子占据概率： 1.2.2 热平衡状态下的载流子 1.2 半导体的基础知识 1.2.3 半导体对光的吸收 1.2 半导体的基础知识 1.2.4 非平衡状态下的载流子 1．非平衡载流子的注入和复合 1．非平衡载流子的注入和复合 2.非平衡载流子的寿命 2.非平衡载流子的寿命 2.非平衡载流子的寿命 2.非平衡载流子的寿命 2. 非平衡载流子的寿命 1.2 半导体的基础知识 1.2.5 载流子的扩散与漂移 2．漂移 本征吸收 半导体对光的吸收 非本征吸收 本征吸收： 光子能量足够大，价带中的电子能激发到导带 －截止波长 (a)本征半导体； (b)N型半导体； (c) P型半导体 产生电子－空穴 对 条件： 特点： 本征吸收： (a)本征半导体； (b)N型半导体； (c) P型半导体 本征半导体和杂质半导体内部，都有可能发生本征吸收！！！ 特别注意： 非本征吸收： (a)本征半导体； (b)N型半导体； (c) P型半导体 光子能量不足以使价带中的电子激发到导带 ，包括杂质吸收、自由载流子吸收、激子吸收、晶格吸收 杂质吸收： N型半导体 施主束缚电子?导带 P型半导体 受主束缚空穴?价带 本征吸收 电子 －空穴 对 杂质吸收 本征吸收 杂质吸收 波长增大 本征吸收与非本征吸收比较： 电子 或 空穴 本征吸收与非本征吸收比较： 本征吸收 杂质吸收 波长增大 本征吸收 杂质吸收 波长增大 ??? 1.2.1 能带理论 1.2.2 热平衡状态下的载流子 1.2.3 半导体对光的吸收 1.2.4 非平衡状态下的载流子 1.2.5 载流子的扩散与漂移 1． 非平衡载流子的注入和复合 2. 非平衡载流子的寿命 非平衡载流子 （过剩载流子） 光生载流子 热生载流子 产生： 复合： －－使非平衡载流子浓度增加的运动 －－使非平衡载流子浓度减小的运动 寿命？？？ 光生载流子的平均生存时间称为光生载流子的寿命，用τc表示。 以N型为例： 以N型为例，计算弱注入条件下少子的寿命 复合率： （热）产生率： r为复合系数 热平衡时 以N型为例，计算弱注入条件下少子的寿命 光生电子－空穴对的直接复合率可用材料中少子的变化率表示为 弱注入 Δn(t) =Δp(t) n0 以N型为例，计算弱注入条件下少子的寿命 弱注入条件下，载流子寿命与热平衡时多子电子的浓度成反比，并且在一定温度下是一个常数。 表明： ① 表征复合的强弱 ②τc决定线性光电导探测器的时间特性 ③τc的大小与材料的微观复合结构、掺杂及缺陷 等因素有关。 τc的物理意义： τc的适应条件： －－本征吸收和杂质吸收，弱注入 1.2.1 能带理论 1.2.2 热平衡状态下的载流子 1.2.3 半导体对光的吸收 1.2.4 非平衡状态下的载流子 1.2.5 载流子的扩散与漂移 光电科学与工程学院 College Of Optoelectric Science and Engineering 辐射度学与光度学 半导体物理基础 光电探测器概述 半导体基础 半导体材料具有独特的光电特性，许多光电探测器是由半导体材料制作的——半导体光电探测器。 研究半导体材料的专门学科：半导体物理学 1.2.1 能带理论 1.2.2 热平衡状态下的载流子 1.2.3 半导体对光的吸收 1.2.4 非平衡状态下的载流子 1.2.5 载流子的扩散与漂移 1．原子能级与晶体能带 电子共有化 能级扩展为能带 最外层电子 自由电子 单个原子 1．原子能级与晶体能带 价带Ev 导带Ec 禁带Eg 价电子（最外层电子）能级相对应的能带 1．原子能级与晶体能带 价带Ev 导带Ec 禁带Eg 3.价电子 自由电子， 要吸收能量 特别指出： 1.价带中电子，价电子——不能参与导电 2.导带中电子，自由电子——能参与导电 1．原子能级与晶体能带 价带Ev 导带Ec 禁带Eg 为什么只考虑导带与价带之间的禁带？ 电磁波谱与 原子内部电子运动 绝缘体、半导体、金属的能带图 SiO Eg=5.2ev Si Eg=