70nm分离栅工艺快闪存储器擦写性能的改进.pdfVIP

第一章绪论 1．1引言 现在各种带有移动微存储器的数码电子产品正在进入到我们的生活，给我们 带来极大的便利。这些微存储器中很大一部分是快闪存储器(FlashMemory)，即 非挥发性存储器的一种。 目前的存储器大致可以分为两大类：挥发性存储器和非挥发性存储器。挥发 性存储器在系统关闭或者断电情况下会立即失去所存储的信息，需要持续的电源 Access 供应才能维持数据存储。大部分的随机存储器(RAM，Random Memory) 包括静态随机访问存储器(SRAM)和动态随机访问存储器(DRAM)都是属于此类。 相对而言，非挥发性存储器其可在系统关闭或电源中断供应时仍能长时间保持已 有的数据信息，不会丢失。其中包括只读存储器(ROM，ReadOnlyMemory)、电 可编程只读存储器(EPROM， Read ElectricallyProgrammableOnlyMemory)、 Erasableand 电可擦可编程只读存储器(EEPROM，Electrically Programmable Read OnlyMemory)、快闪存储器(FlashMemory)和其他一些新型的如铁电介 非挥发性存储器。 Flash 密度高以及EEPROM在系统中可电可擦除性的优点，实现了低成本、高密度、良 好的可重复擦写性和高可靠性。FlashMemmory相比传统存储器的优势在于它按 块(Sector)擦除，按位编程，从而极大提高了快闪存储器的擦除速度，推动着 存储器技术的发展。[1] 在各样的闪存存储器中，按照Flash Memory的存储单元结构基本分为两类： 叠栅式(Stackedgate)和分离栅式(Splitgate)。虽然叠栅式的制作方法相 对分离栅式更为简单，且所占面积更小，但其存在过擦除问题，需要在擦除循环 后进行验证并将存储单元的阈值电压保持在一个范围内来解决，无形中增加了电 路设计的复杂性。分离栅式可以有效解决过擦除的问题[1]，且电路设计简单。 由于选择栅晶体管的存在且在快闪存储器的擦除过程中处于关闭状态，因此分离 栅式的结构可以避免过擦除的问题。并且在编程上，分离栅结构的存储器采用比 HotCarrierElectron 常用的沟道热电子注入(CHE：Channel Injection，)更 Side 为高效的源端热电子注入(SSI：Source 有更高的编程效率和更低功耗。可靠性方面也有着出色的表现，因此在诸如智能 卡、移动电话、汽车电子、微控制器以及嵌入式闪存领域中得到广泛的应用。 随着Flash存储器集成度的不断提高，发展更小尺寸的分离栅式快闪存储单 万方数据 元，研究并改进其擦除速度和编程效率性能便显得尤为重要。 1．2Flash存储单元的基本工作原理 非挥发性存储器目前主要有两种类型：浮栅型存储器件和陷阱电荷俘获型存 储器件。如图1．1所示。 在浮栅型存储器中，电荷将会被储存在多晶浮栅中，在无电源供应的条件下 仍然能够可以保持。所有的浮栅型存储器都有着相类似的单元架构，即层叠的栅 极结构。多晶浮栅则被埋在隧穿氧化层(即浮栅氧化层)和多晶间介质层(即极 问氧化层，IPD，Inter--PolyDielectric)之间。多晶间介质层的作用就是隔绝 浮栅，它可以是二氧化硅，或者是氧化硅一氮化硅一氧化硅的组成。包围在浮栅周