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2-2-3 离子注入工艺 1 离子注入的作用—掺杂—形成P-N结。 （代替扩散或扩散的预淀积过程） 2 离子注入的原理——杂质原子在强电场下电离成离子，它具有极高的能量并以极快的速度运动，轰击并打入硅片表面，达到掺杂的目的。 3 蒸发的原理 1）电阻加热式蒸发：在真空下，加热熔化金属材料，蒸发出来的金属原子，在真空中直线运动，淀积到硅片表面，形成一层金属薄膜。 2） 电子束蒸发：在真空下，具有高能量的电子束高速运动，轰击金属材料表面，使材料局部表面产生高温而熔化，并蒸发出金属原子，在真空中直线运动，淀积到硅片表面，形成一层金属薄膜。 蒸发用的金属材料 1）?正面蒸发——铝、钛-铝 2）?背面蒸发——钒、镍、金、金锗、金锗锑 ——钛、镍、银 影响蒸发质量的因素 1）真空度 2）清洁度 （蒸发源、真空室、片子） 3) 蒸发工艺条件（电压、电流、时间等） 蒸发的质量要求 1）膜厚与均匀性， 2）表面质量——光亮、清洁、不发灰。 3）不掉铝、掉金。 2-2-6 CVD工艺 1 CVD的名字解释——化学气相沉积。 2 CVD的作用——淀积SIO2、BSG、PSG、SIN， 作表面钝化、杂质扩散源、加厚氧化层。 3 CVD的原理——在一定的温度和气氛条件下， 化合物产生热分解和化合反应，生成钝化层 或掺杂氧化层。 例如， SIH4——SI + H2 SI + O2——SIO2 CVD的分类—— 常压CVD、 低压CVD、 等离子体CVD （APCVD）、（LPCVD）、（PECVD） 5 CVD的质量要求： 1） 膜厚——达到一定的厚度（但不开裂） 2）掺杂浓度——达到R□ 的要求 3）表面质量——颜色均匀，光亮，不发灰， 无“流水”、 “气泡”。 2-2-7 台面工艺 1 什么是台面工艺？台面工艺有什么作用？ 把平面P-N结，通过工艺加工，变成台面P-N结的工艺过程，就叫台面工艺。 台面工艺的作用——形成台面—— 保护P-N结，提高和稳定击穿电压。 2 两种不同的台面结构——正斜角和负斜 角结构（图28a 、28b） * 半导体基础知识与晶体管工艺原理( 3 ) 第二章 晶体管制造工艺与原理 2-1 典型产品工艺流程 2-1-1 晶体管的基本工艺流程 一次氧化—一次光刻—基区扩散— 二次光刻—发射区扩散—三次光刻（引线孔）—蒸发—四次光刻—合金 —中测—减薄—背金—划片—后道组装—成测—打印—包装—出厂 第二章 晶体管制造工艺与原理 2-1-2 典型产品的工艺流程 1 节能灯系列产品 三扩片（三扩、磨抛）—— 一次（水汽）氧化 —— 一次光刻——基区CSD淀积——二次氧化—— 基区扩散—— 二次光刻——POCL3淀积—— 发射区氧化扩散—— PSGCVD——HCL氧化—— 三次光刻——蒸发——四次光刻——N2合金—— N2烘焙——PIA光刻——减薄（喷砂）—— 背蒸 ——中测 —— 划片 第二章 晶体管制造工艺与原理 2 高反压大功率系列(略） 3 超高频大功率系列（略） 2-2 晶体管制造主要工艺的作用与原理 2-2-1 氧化工艺 1 氧化的作用： 1）P-N结表面保护（表面沾污——影响器件成品率和可靠性，SIO2能把P-N结表面覆盖起来，起到保护作用）。（图19a） 2）掩蔽杂质扩散（SIO2 性能稳定，在高温下能掩蔽硼、磷等杂质的扩散，从而达到选择扩散的目的）。(图19b) 2 氧化层的生长方法 1）热氧化法—— （水汽、湿氧、干氧、H/O合成） 2）CVD法 （UDO） 3）其它氧化方法 氧化层厚度的测量——膜厚测试仪（根据光