垂直腔表面发射光器(VCSEL)论文.docVIP

垂直腔表面发射激光器（VCSEL） 引言 垂直腔表面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser,即VCSEL)是很有发展前景的新型光电器件，也是光通信中革命性的光发射器件。顾名思义，边发射激光器是沿平行于衬底表面、垂直于解理面的方向出射，而面发射激光器其出光方向垂直于衬底表面，如下图： 图1. 边发射激光器（a）与面发射激光器(b)示意图 它优于边发射激光器的表现在于：易于实现二维平面和光电集成；圆形光束易于实现与光纤的有效耦合；可以实现高速调制，能够应用于长距离、高速率的光纤通信系统；有源区尺寸极小，可实现高封装密度和低阈值电流；芯片生长后无须解理，封装后即可进行在片实验；在很宽的温度和电流范围内都以单纵模工作；价格低。VCSEL的优异性能已引起广泛关注，成为国际上研究的热点。这十多年来，VCSEL在结构、材料、波长和应用领域都得到飞速发展，部分产品已进入市场。 一．基本结构 VCSEL由三部分组成：顶部布拉格反射器（P-DBR）、谐振腔和底部N-DBR。一般DBR由20-40对薄膜组成。谐振腔的厚度一般在几个微米左右，与边发射器的增益长度相比，VCSEL有源层的增益长度极小（几十纳米），为了能够实现激射，DBR必须有很高的反射率（一般大于99%）。在器件的最下方一般是以GaAs为材料的衬底。结构示意