模拟集成电路设计第二章工艺和器件.pptVIP

CMOS工艺中电阻 源漏扩散电阻： 方块电阻为20-100Ω/□ 温度系数为500-1500ppm/℃，电压系数为100-500ppm/℃，误差为±20% n+p结寄生电容较高 CMOS工艺中电阻 P阱电阻 与CMOS硅栅或铝栅工艺兼容 方块电阻为1K-5K/Ω/□，有较大的电压系数，误差为±40% CMOS工艺中电阻 离子注入电阻： 与CMOS硅栅和铝栅工艺兼容，但需要额外的工艺步骤。 方块电阻为500-1000Ω/□，可以精确的控制 有较高的电压系数，误差较小 CMOS工艺中电阻 开关电容模拟电阻 ： 可由CMOS硅栅或铝栅工艺实现 需要高频工作 第三章 集成电路工艺流程 版图基础知识 版图的层 版图的层 硅栅CMOS 工艺版图和工艺的关系 1 N阱——做N阱的封闭图形处，窗口注入形成P 管的衬底 2 有源区——做晶体管的区域（G,D,S,B区），封闭图形处是氮化硅掩蔽层，该处不会长场氧化层 3 多晶硅——做MOS管栅极和多晶硅连线。封闭图形处，保留多晶硅 版图的流程（1） N阱 版图的流程（2）有源区 版图的流程（3）多晶硅 4 有源区注入——P+,N+区。做源漏及阱或衬底连接区的注入 5 接触孔——多晶硅，扩散区和金属线1接触端子。 6 金属线1——做金属连线，封闭图形处保留铝 7 通孔——两层金属连线之间连接的端子 8 属线2——做金属连线，封闭图形处保留铝 版图的流程（4）N+注入区 版图的流程（5）P+注入区 版图的流程（6）过孔 版图的流程（7）金属1 反相器与电路原理图 * 第二章 模拟电路基础知识 模拟与数字 模拟集成电路用来产生、放大和处理各种模拟信号（指幅度随时间连续的信号） 数字集成电路用来产生、放大和处理各种数字信号（指在时间上和幅度上离散取值的信号） CMOS工艺中常用的器件 二极管(D) BJT(Q) MOS管(M) 电容(C) 电阻（R） 电感（射频IC中用到） 1、PN结二极管部分 符号与结构： 电流电压特性 2、MOS管部分 图中D为漏极，G为栅极，S为源极，B为衬底。NMOS管的高电位端为漏极，低电位端为源极；PMOS管的高电位端为源极，低电位端为漏极。 NMOS管的剖面结构图 MOS的符号 MOS 管工作I-V特性 阈值电压（Vt）：栅氧化层下源漏之间形成载流子沟道所需要的栅极电压为阈值电压。 VgsVt： 晶体管截止 Vgs?Vt : 设Vgs保持不变： 当Vds=0时，Ids=0 当Vds0时，Ids0 NMOS 管工作I-V特性（线性区） 当0VdsVgs-Vtn时（线性区），MOS管工作特性下图所示。 当Vds很小时，可近似看为：Ids随Vds变化呈线性关系 此时一般将mos管用作电阻或者开关 MOS的线性区、饱和区（存在沟道调制效应） NMOS 管工作I-V特性（饱和区） 二极效应：体效应 衬底偏置效应：当NMOS管源极和衬底电位不一致时（衬底电位更低），有更多的空穴被吸引到衬底留下大量的负电荷，因此耗尽区展宽了。栅极电荷镜像耗尽区电荷，因此阈值电压是耗尽层电荷总数的函数。随着NMOS管源极电位和衬底电位差的增大，阈值电压上升。此时我们可以将衬底认为是JFET栅极。 二级效应：沟道长度调制效应 二级效应：亚阈值导电效应 亚阈值导电效应 ：理想的MOS管，当Vgs下降到小于VT时，器件会突然关断。实际上当Vgs小于或等于VT时，栅下存在弱的反型层，并有一些漏电流。亚阈值情况下Ids与Vgs呈现指数关系。 MOS管的小信号模型 3、电容 两端元件，电荷的容器——Q=CV 最基本的无源元件之一，是电源滤波电路，信号滤波电路，开关电容电路中必不可少的元件 单位面积电容，线性，寄生效应 多晶硅-多晶硅电容 PIP（Poly Insulator Poly ）, 它的两个电极分别是两层多晶硅, 中间的介质是氧化层。底板寄生较大，所以多用上极板采样。 典型值：0.7fF/um*um MOS电容 结构和MOS晶体管一样, 是一个感应沟道电容, 当栅上加电压形成沟道时电容存在. 一极是栅, 另一极是沟道, 沟道这一极由S(D) 端引出. 单位面积电容最大的电容 MOS电容 非线性电容 随着栅极电压降低，电容降低 适用于电源滤波 梳状金属电容 梳状金属电容 ： MOM (metal oxide metal) 电容，利用同层相邻金属线的侧墙寄生电容 线性电容 电容密度随着工艺缩小而增大 与数字工艺兼容 MIM电容 MIM(metal insulator metal)一般是最高两层金属之间的电容。不同的是金属之间的氧化层比较薄，其上级版是专门的MIM cap金属层，因此需要额外的版图。 在先进的CMOS 工艺中金属互联层较多