GB/T 15713-1995锗单晶片.pdf

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  • 2019-01-03 发布于四川
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  •   |  1995-10-17 颁布
  •   |  1996-03-01 实施
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ICS29.040.20 a 81 簿I 中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准 GB/T 15713一 1995 吞攀 苗 曰 体 ,曰 月片. 日日 门 Monocrystallinegermaniumslices 1995一10一17发布 1996一03一01实施 国 家 技 术 监 督 局 发 布 中华 人 民共 和 国国家标 准 GB/T 15713一1995 锗 单 晶 片 Monocrystallinegermanium slices 1 主肠内容与适用范围 本标准规定了锗单晶切割片、研磨片和腐蚀片(简称锗片)的产品分类、技术要求、试验方法、检验规 则及标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于各种牌号的锗单晶经切割、双面研磨、分割、腐蚀制备的圆形、方形和长方形锗片。产 品用于制作晶体管和红外器件。 2 引用标准 GB2828逐批检查计数抽样程序及抽样表(适用于连续批的检查) GB/T5238 锗单晶 3 产品分类 3.1 分类 锗片按导电类型分为n型和P型,按生产方法分为切割片、研磨片和腐蚀片三种. 3.2 牌号 3.2.1 锗片的牌号表示为: 其中: 1— 表示锗单晶的生产方法。Cz表示直拉法.HB表示水平法。 2- Ge表示锗单晶. 3- 表示锗片的品种,分别用相应英文单词的第一个字母组合的大写形式表示,当英文取两个字 母时,第二个字母应小写,其中: a.CW表示切割片; b.BLW表示双面研磨片; c.EtW表示腐蚀片。 4— 用n或P表示导电类型,括号内的元素符号表示掺杂剂。 国家技术监.局1995一10-17批准 1996-03-01实施 GB/T 15713一 1995 5— 用密勒指数表示晶向。 2 示例: a.Cz-Ge-CW-p(Ga)-(111)表示晶向为(111)的p型掺稼直拉锗单晶切剖片。 b.Cz-Ge-EtW-n(Sb)-(111)表示晶向为(111)的n型掺锑直拉锗单晶腐蚀片。 技术要求 4.1物理参数和晶体完整性 锗片所涉及的锗单晶的物理参数和晶体完整性应分别符合GB/T5238中的4.1条和4.3条的规 定 o 本 n 乙 几何参数 本 口 ‘ 锗片的几何参数应符合表 1规定。 表 1 褚 片 几 何 参 数 项 目 大圆片 小圆片 方片或长方片 腐蚀片 直径 10--50 3.6,4.0,6.0,8.0,9.2 直径允许偏差 同单晶直径允许偏差 士0.1 0.90X0.90 0.85X0.85 1.00X 1.00 0.90又0.90

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