第14章 气敏传感器..pptVIP

气体传感器的分类 气体传感器的应用 一. 在家庭中的应用 二.在汽车中的应用 三. 在工业中的应用 其他应用 半导体气体传感器的分类 一、气敏元件的气体选择性 二、气体浓度特性 初始稳定状态 阴离子吸附 阳离子吸附 复原特性 四、灵敏度的提高与稳定改善 材料 氧化锡类传感器 添加贵金属的氧化锡敏感元件的气体检测灵敏度最高值及其温度 体控制型电阻式传感器 在采用反应性强容易还原的氧化物作为材料的传感器中，即使是在温度较低的条件下，也可因可燃性气体而改变其体内的结构组成(晶体缺陷)，并使敏感元件的阻值发生变化。即使是难还原的氧化物，在反应性强的高温范围内，其体内的晶格缺陷也会受影响。 一、三氧化二铁类传感器 这是以α一三氧化二铁为主体的多孔质烧结体传感器。 将它作为检测丙烷用的传感器时，显示出良好的性质。 提高气体检测灵敏度的方法： 通过晶枝的微细化和提高孔隙率 在调制敏感元件时注入SO42-离子 二、钙铁矿类传感器 一般来讲，钙铁矿类氧化物的热稳定性很好．用它作为燃烧控制用传感器的材料，也是很吸引人的。 钙铁矿类氧化物，在还原性气氛中一般不太稳定，有待在此方面作出进一步的改进后，方能应用于燃烧控制。 三、燃烧控制用的传感器 TiO2类 以p型氧化钴半导体为主要材料，并掺加氧化镁作稳定剂，制CoO1-xMgxO(x＞o．5)的敏感元件，其特性非常好，如图所示；而且在贫气区域的控制性能也很好。这是因为添加了氧化镁，使得氧化钴的抗还原稳定性得到增强的缘故。 非电阻式半导体气体传感器 一、二极管传感器 氢气对钯／氧化钛二极管整流特性的影响 在氢气浓度急剧增高的同时，正向偏置条件下的电流也急剧增大。所以在一定的偏压下，通过测电流值就能知道氢气的浓度。 电流值之所以增大，是因为吸附在钯表面的氧气由于氢气浓度的增高而解吸，从而使肖特基势垒层降低的缘故。 钯MOS二极管敏感元件 利用其电容一电压(C－V)特性可检测气体 这种敏感元件以钯、铂等金属来制薄膜(厚0.05-0.02μm，二氧化硅层厚度为0.05-0.1μm)． 钯MOS二极管敏感元件的C-V特性 同在空气中相比，C—V特性在氢气中有明显地有变化（MOS管的C—V 特性向负偏压方向平移），这是因为在无偏置的情况下钯的功函数在氢气中低的原因。 三、MOS场效应晶体管传感器 在钯一MOS场效应管中,UT会随空气中所含氢气浓度的增高而降低。所以可以利用这一特性来检测氢气。钯MOS场效应管传感器，不仅可以检测氢气，而且还能检测氨等容易分解出氢气的气体。为了获得快速的气体响应特性，有必要使其工作在120℃至150℃左右的温度范围内，不过，使用硅半导体的传感器，还存在着长期稳定性较差的问题，有待今后解决。 气体传感器的各种检测对象及应用场所 14.3 红外吸收式气敏传感器 典型气体的主要特性 接触燃烧式气敏传感器结构 将白金等金属线圈埋设在氧化催化剂中便构成接触燃烧式气敏传感器。 接触燃烧式气敏传感器检测原理 一般在金属线圈中通以电流，使之保持在300一600℃的高温状态．当可燃性气体一旦与传感器表面接触，燃烧热进一步使金属丝温度升高而电阻值增大，其电阻值增量为： 接触燃烧式气敏传感器电路原理 F1是气敏元件；F2是温度补偿元件，F1，F2均为白金电阻丝。 Fl，F2与R3，R4组成惠斯登电桥，当不存在可燃性气体时，电桥处于平衡状态；当存在可燃性气体时，F1的电阻产生增量△R，电桥失去平衡，输出与可燃性气体特征参数(如浓度)成比例的电信号 接触燃烧式气敏传感器的优缺点 14.5 热导率变化式气体传感器 一、热线式气敏传感器 由于热线式的灵敏度较低，所以其输出信号小。这种传感器多与于油船或液态天然气运输船。 二、热敏电阻气体传感器 这种气敏传感器用热敏电阻作电桥的两个臂组成惠斯登电桥。当热敏电阻通以10mA的电流加热到150一200℃时，F1一旦接触到甲烷等可燃性气体，由于热导率不同而产生温度变化，而产生电阻值变化使电桥失去平衡，电桥输出的大小反映气体的种类或浓度。 14.6 湿式气敏传感器 固定电位电解气敏传感器 (a)极谱式(固定电压为外电源供给) (b)原电池式(固定电压为原电池供给） 一、二极管传感器 二、MOS二极管传感器 三、MOS场效应晶体管传感器 如果二极管的金属与半导体的界面吸附有气体，而这种气体又对半导体的禁带宽度或金属的功函数有影响的话，则其整流特性就会变化。 在掺铜的硫化镉上，薄薄地蒸发一层钯膜的钯／硫化镉二极管传感器，可用来检测氢气。 钯／氧化钛、钯／氧化锌、铂／氧化钛之类的二极管敏感元件亦可应用于氢气检测。 二、MOS二极管传感器 a:在空气中 b:在氢气中 是一种二氧化硅层做得比普通的MOS场效应晶体管薄0.01μm、而且金属栅