a．Si（n）c．Si（P）异质结太阳电池薄膜硅背场的模拟优化.PDF

第57卷第5期2008年5月 物 理 学 报 V01．57，No．5，May，2008 1000—3290／2008／57(05)／3212．07 ACTAPHYSICASINICA @2008 Chin．Phys．Soc． 模拟优化* 赵 雷+ 周春兰 李海玲 刁宏伟 王文静 (中国科学院电工研究所太阳电池技术研究室．北京 100080) (2007年9月4日收到；2007年IO月31日收到修改稿) 行了模拟，分析了影响背场效果的原因，得到了薄膜硅背场在a—Si(n)／c．Si(p)异质结太阳电池上的适用条件为薄膜 硅材料是带隙1．6eV，硼掺杂浓度在10”cln。以上的微晶硅材料，其最佳厚度在5am左右．这种背场从工艺上易于 实现，并且，与常用的Al扩散背场相比，在相同的掺杂浓度下，电池效率可以大大提高． 关键词：薄膜硅，背场，硅异质结太阳