第5章 场效应管及其放大电路..pptVIP

2）求负载线 分别对上两式求两个特殊点，在转移特性和输出特性上作出直流负载线； 由： Q Q 再将转移特性的ID投到输出特性上得到Q点。 (a)采用结型场效应管 (b)采用绝缘栅场效应管 共源组态接法基本放大电路 (2)分压式共源组态放大电路 分压式组态既能适合耗尽型又能适合增强型场效应管，并且能稳定静态工作点。 1)直流分析 直流通路为： 共源直流通道 图中Rg1、Rg2是栅极偏置电阻，Rs是源极电阻，Rd是漏极负载电阻。 根据图可写出下列方程 VG=VDDRg2/(Rg1+Rg2) VGSQ= VG－VS= VG－IDQRs IDQ= IDSS[1－(VGSQ /VP)]2 VDSQ= VDD－IDQ(Rd+Rs) 于是可以解出VGSQ、IDQ和VDSQ。 2)交流分析 微变等效电路如图所示 ①电压放大倍数 ②输入电阻 ③输出电阻 计算Ro的电路模型 负载RL开路，设在输出端加一个电源Vo’ ;再设输入信号源短路，保留内阻RS ，则 2 共漏组态基本放大电路 (1)直流分析 由直流通道得 VG=VDDRg2/(Rg1+Rg2) VGSQ= VG－VS= VG－IDQRs 又：IDQ= IDSS[1－(VGSQ /VP)]2 VDSQ= VDD－IDQRs 可以解出：VGSQ、IDQ和VDSQ。 Department of Electronics and Information Science /dxx/Index.html 回顾 晶体管是 ?器件 电流控制电流器件(CCCS)！ 数学描述？ 第五章 场效应管放大电路 场效应管———利用电场效应工作的晶体管。 1、按导电沟道类型分 场效应管是单一载流子参与导电的器件。 (1)电子作为载流子的器件叫N沟道场效应管; (2)空穴作为载流子的P沟道场效应管。 一、场效应管分类： 输入电压产生电场, 电场控制输出电流器件(VCCS)。 (1)结型场效应管JFET (Junction type Field Effect Transister) 利用PN结的宽度控制管子导电能力。 2、按结构类型分 (2)绝缘栅型场效应管IGFET ( Insulated Gate Field Effect Transister) 也称金属氧化物半导体三极管MOSFET （Metal Oxide Semiconductor FET） 3 按导电方式分 增强型 ? N沟道、P沟道 耗尽型 ? N沟道、P沟道 D(Drain)为漏极，相当c； G(Gate)为栅极，相当b； S(Source)为源极，相当e。 5.1 绝缘栅场效应三极管的工作原理 MOSFET结构符号示意图 1、N沟道增强型MOSFET结构 （动画5-1） （2）0＜VGS＜VGS(th)时，栅极 和衬底间的电容作用，出现了一 薄层负离子的耗尽层。但少子数 量有限，不足以将漏极和源极沟 通，漏极电流ID＝0。 2、工作原理 （1）当VGS=0V时，D、S之间加上电压也不会形成电流。 （3）当VGS＞VGS(th) （ 开启电压)时，栅极电压足够强，使栅极下方聚集较多的电子，形成沟道，如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流ID。 (动画5-2） 在VGS=0V时ID=0，只有当VGS＞VGS(th)后才会出现漏极电流，这种MOS管称为增强型MOS管。 VGS对ID的控制能力，体现在参数：gm（跨导）上，定义如下 gm=?ID/?VGS? VDS=const (单位mS) VGS对漏极电流ID的控制关 系可用 ID=f(VGS)?VDS=const 3、输入转移特性