第13章 电流和稳恒磁场..ppt

设载流子浓度为n，则电流强度与载流子定向速率的关系为： + + + + - - - - EH ? B 霍耳效应 例把一宽为2.0cm，厚1.0cm的铜片，放在B=1.5T的磁场中，磁场垂直通过铜片。如果铜片载有电流200A，求呈现在铜片上下两侧间霍耳电势差有多大？ 霍耳电势差 解 每个铜原子中只有一个自由电子，故单位体积内的自由电子数n即等于单位体积内的原子数。已知铜的相对原子质量为64，1 mol铜（ 0.064kg）有6.0×1023个原子（阿伏加得罗常数），铜的密度为9.0×103 kg/m3，所以铜片中自由电子的密度 霍耳效应 铜片中电流为200A时，霍耳电势差只有22μV，可见在通常情况下铜片中的霍尔效应是很弱的。 在半导体中，载流子浓度n远小于单位金属中自由电子的浓度，因此可得到较大的霍耳电势差。在这些材料中能产生电流的数量级约为1mA，如果选用和例中铜片大小相同的材料，取I=0.1mA，n=1020 m-3 ，则可算出其霍耳电势差约为9.4mV，用一般的毫伏表就能测量出来。 霍耳效应 铜片中电流为200A时，霍耳电势差只有22μV，可见在通常情况下铜片中的霍尔效应是很弱的。 在半导体中，载流子浓度n远小于单位金属中自由电子的浓度，因此可得到较大的霍耳电势差。在这些材料中能产生电流的数量级约为1mA，如果选用和例中铜片大小相同的材料，取I=0.1mA，n=1020 m-3 ，则可算出其霍耳电势差约为9.4mV，用一般的毫伏表就能测量出来。 霍耳效应 一.安培力 （洛伦兹力） 方向满足右手关系. 在SI制中,K=1,写为矢量式为: B I dl 则一段导线受力为: 可证明:安培力的实质就是洛伦兹力. 一个自由电子受洛伦兹力 f = evBsin? Idl ? v ? ? 方向向里 实验表明:在磁场中的电流元Idl 受磁力dF, 大小为: 13.4. 磁场对运动 电荷的作用 dF = nSdl f = nSdl evBsin? =IdlBsin? =(nevS)dl Bsin? B I dl Idl ? v ? ? =IdlBsin? 写成矢量式为 dF=IdlBsin? 因此 这正是安培力.此规律叫安培定律 方向满足右手关系. 磁场对电流元Idl 作用的力,在数值上等于电流元的大小,电流元所在处的磁感强度大小以及电流元Idl 和磁感强度B 之间的夹角? 的正弦之乘积. 在体积元dV=Sdl中,有nSdl个电子,则所受的合力为 有限长载流导线所受的安培力 安培定律 意义 磁场对电流元作用的力 ，在数值上等于电流元 的大小 、电流元所在处的磁感强度 大小以及电流元和磁感应强度之间的夹角 的正弦之乘积 , 垂直于 和 所组成的平面, 且 与 同向 . A B C o 根据对称性分析 解 例 1 如图一通有电流 的闭合回路放在磁感应强度为 的均匀磁场中，回路平面与磁感强度 垂直 .回路由直导线 AB 和半径为 的圆弧导线 BCA 组成 ，电流为顺时针方向, 求磁场作用于闭合导线的力. A C o B 因 由于 故 O d R 例 半径为 载有电流 的导体圆环与电流为 的长直导线 放在同一平面内（如图）， 直导线与圆心相距为 d ，且 R d 两者间绝缘 , 求 作用在圆电流上的磁场力. 解 . O d R . O d R . 二 电流的单位 两无限长平行载流直导线间的相互作用 国际单位制中电流单位安培的定义 在真空中两平行长直导线相距 1 m ，通有大小相等、方向相同的电流，当两导线每单位长度上的吸引力为 时，规定这时的电流为 1 A （安培）. 可得 M,N O,P M N O P I 一 磁场作用于载流线圈的磁力矩 如图 均匀磁场中有一矩形载流线圈MNOP 磁场对载流线圈的作用 13-15 如附图所示，在无限长载流长直导线I1旁，垂直放置另一长为L的载流直导线I2，I2导线左端距I1为ɑ，求导线I2所受到的安培力。 解：由于电流I2上各点到电流I1距离相同，I2各点处的B相同，I2收到的安培力方向如图所示，安培力大小为： I2受到I1的引力，同理I1也受到I2的引力。 线圈有N匝时 M N O P I M,N O,P 载流I的刚性平面线圈S的磁矩 载流导线在磁场中动时磁力所作的功 结论: