光伏型碲镉汞长波探测器暗电流特性的参数提取研究-中国科学院上海.PDF

第26卷第2期 红外 与 毫 米 波 学 报 Vo1．26．No．2 2007年 4月 J．InfraredMillim．Waves April，2007 文章编号：1001—9014(2007)oz一0092—05 光伏型碲镉汞长波探测器暗电流特性的参数提取研究 全知觉，李志锋，胡伟达，叶振华，陆 卫 (中国科学院上海技术物理研究所 红外物理 国家重点实验室 ，上海 200083) 摘要：报道了一种适用于碲镉汞长波光伏探测器的由典型电阻电压(R-V)曲线提取器件基本特征参数的数据处理 途径．拟合程序中采用的暗电流机制包括 了扩散电流机制，产生复合电流机制，陷阱辅助隧穿机制以及带到带直接 隧穿电流机制．本文详细地给出了该拟合计算所采用的方法和途径，分析 了拟合参数的误差范围．通过对实际器件 的R．V特性曲线的拟合计算，给出了实际器件的基本特征参数，验证 了该数据处理途径的实用性． 关 键 词：碲镉汞(MCT)；光伏探测器；暗电流；参数提取 中图分类号：TB4 文献标识码：A PARAM ETERSEXTRACTIoN FRoM THE DARK CURRENT CHARACTERISTICSoF LoNG．W AVELENGTH HgCdTePHoToDIoDE QUANZhi—Jue， LIZhi—Feng， HUWei—Da， YEZheng—Hua， LUWei (NationalLaboratoryforInfraredPhysics，ShanghaiInstituteofTechnicalPhysics， ChineseAcademyofSciences，Shanghai200083，China) Abstract：Andata-processingmethodwasdevelopedtoobtainthedeviceparametersfromtheresistance-voltage(R-V) chraacteristicsmeasuredinlong-wavelengthHgCdTephotodiode．Thiscurve-fittingmodelincludesthediffusion，genera- tion-recombination，trap-assistedtunneling，and band-to-bandtunnelingcurrentasdark currentmechanisms．Th efitting procedurewaspresentedindetailsandtheextentsofthefittingerrorswerediscussed．ByfittingtheR-V chraacteristicsof arealdevice，theapplicabilityofourmethodhasbeenprovedforobtainingthebasicparameters ofdevices． Keywords：HgCdTe(MCT)；photodiode；drakcurrent；praameterextraction 对这一问题，本文提出了一种数据处理途径进行数 引言 据拟合计算，研究表明这种途径适用于光伏型 MCT 由于其优 良的性能，光伏型碲镉汞 (MCT)探测 长波探测器的自动拟合，可满足器件 ¨，特性分析 器成为 目前最重要的一种红外探测器 l’2J．碲镉汞 的需要． 探测器的电流一电压 (i-v)特性通常被用来表征其 1 理论模型 性能．要获得高性能的器件，就必须尽量减小暗电 流．因此，定量地分析器件的，．特性，提取器件的 碲镉汞探测器的暗电流主要来源于4