功率MOSFET雪崩击穿问题分析.pdfVIP

要：分析了功率MOSFET 雪崩击穿的原因，以及MOSFET 故障时能量耗散与器件温升的关系。和传统的双 极性晶体管相比，反向偏置时MOSFET 雪崩击穿过程不存在“热点”的作用，而电气量变化却十分复杂。寄 生器件在MOSFET 的雪崩击穿中起着决定性的作用，寄生晶体管的激活导通是其雪崩击穿的主要原因。在 MOSFET 发生雪崩击穿时，器件内部能量的耗散会使器件温度急剧升高。 关键词：双极性晶体管；功率MOSFET；雪崩击穿；寄生晶体管；能量耗散 1 引言 功率MOSFET 在电 电子设备中应用十分广泛，因其故障而引起的电子设备损坏也比较常见。分析研究 功率MOSFET 故障的原因、后果，对于MOSFET 的进一步推广应用具有重要意义。 在正向偏置工作时，由于功率MOSFET 是多数载流子导电，通常被看成是不存在二次击穿的器件。但事 实上，当功率MOSFET 反向偏置时，受电气量变化 （如漏源极电压、电流变化）的作用，功率MOSFET 内部 载流子容易发生雪崩式倍增，因而发生雪崩击穿现象。与双极性晶体管的二次击穿不同，MOSFET 的雪崩击 穿常在高压、大电流时发生，不存在局部热点的作用；其安全工作范围也不受脉冲宽度的影响。 目前，功率器件的故障研究已经从单纯的物理结构分析过渡到了器件建模理论仿真模拟层面。因此， 本文 从理论上推导MOSFET 故障时漏极电流的构成，并从微观电子角度对MOSFET 雪崩击穿现象作详细分 析。同时，还 对故障时器件的能量、温度变化关系作一定的分析。 2 功率MOSFET 雪崩击穿理论分析 图1(a)为MOSFET 的体内等效电路，其中含有一个寄生的双极性晶体管V ，它的集电极、发射极同时 2 也是MOSFET 的漏极和源极。当MOSFET 漏极存在大电流I ，高电压V 时，器件内电离作用加剧，出现大量 d d 的空穴电流，经R 流入源极，导致寄生三极管基极电势V 升高，出现所谓的“快回(Snap-back)”现象， b b 即在V 升高到一定程度时，寄生三极管V 导通，集电极 （即漏极）电压快速返回达到晶体管基极开路时的 b 2 击穿电压 （增益很高的晶体管中该值相对较低），从而发生雪崩击穿，如图2 所示。 (a) 体内等效电路 PDF 文件使用 pdfFactory Pro 试用版本创建 (b) 外部分析电路 图1 MOSFET 等效电路 图2 雪崩击穿时I－V 曲线 下面利用图1 的等效电路来分析MOSFET 的雪崩击穿。 假设三极管V ≈0.6V，V =I R ，则可得MOSFET 源极电流 b b b b I =I ＋ V =I ＋ R I （1） s do b do