第三章固态电子..pptVIP

§4.2 载流子散射§4.2.2 半导体的主要散射机构 （3）光学波散射 正负离子的振动位移产生附加势场 离子晶体中光学波对载流子的散射几率 §4.2 载流子散射§4.2.3 半导体的其它散射机构 1.等同的能谷间散射 g散射：同一坐标轴能谷间散射 f散射：不同坐标轴能谷间散射 其中第一项对应吸收一个声子的概率 §4.2 载流子散射§4.2.3 半导体的主要散射机构 第二项对应发射一个声子的概率 2.中性杂质散射 在重掺杂半导体中起作用 3.位错散射 各向异性，位错密度高的材料不能忽略 3.5 一般情况下的载流子统计分布3.5.2 N型半导体(NdNa) ⒈杂质电离情况下：NdNa，则受主完全电离，pa=0 由于本征激发可以忽略，则电中性条件为 则 或改写为 在非简并情况下,有 式中Ec-Ed是施主电离能。此式就是杂质电离区的电子浓度方程. 3.5 一般情况下的载流子统计分布3.5.2 N型半导体(NdNa) 讨论: ⑴低温区电离情况，假定NdNa. 在NanNd的温度范围内，上式简化为 ：与一种施主杂质时一致，这种条件下，施主主要是向导带提供电子，少量受主的作用可以忽略。 在更低的温度下，电离施主提供的电子，除了填满Na个受主以外，激发到导带的电子只是极少数，即nNa，于是有 这个结果与只含一种施主杂质的形式类似，但还是考虑了受主杂质Na的存在，指数因子上的能量为Ec-Ed． 3.5 一般情况下的载流子统计分布3.5.2 N型半导体(NdNa) 将其代入电子浓度公式中，得出费米能级EF为 在这种情况下，当温度趋向于0K时，EF与Ed重合．在极低的温度范围内，随着温度的升高，费米能级线性地上升. 3.5 一般情况下的载流子统计分布3.5.2 N型半导体(NdNa) ⑵杂质饱和电离情况: 施主全部电离，所提供的Nd个电子，除了填满Na个受主外,其余全部激发到导带；本征激发可以忽略。电中性条件: 费米能级 由np=ni2得出空穴浓度 在杂质饱和电离区，有补偿N型半导体的载流子浓度和费米能级公式，同只含一种施主杂质的N型半导体对应的公式具有相同的形式,但用有效施主浓度Nd-Na代替了Nd． 3.5 一般情况下的载流子统计分布3.5.2 N型半导体(NdNa) ⒉杂质饱和电离—本征激发 根据上面的分析，为了得到这个温度范围内的载流子浓度和费米能级公式，只要在只含一种施主杂质的半导体的公式中，用Nd-Na代替Nd即可． 3.5 一般情况下的载流子统计分布3.5.2 N型半导体(NdNa) 3.5 一般情况下的载流子统计分布3.5.3 P型半导体(NaNd) 对于同时含有受主杂质和施主杂质的P型半导体，分析方法完全相同．下面只列出杂质电离区的几个公式： 　　空穴浓度方程 　　低温杂质弱电离区 极低温： 温度升高： 3.5 一般情况下的载流子统计分布3.5.3 P型半导体(NaNd) 3.6 简并半导体 非简并情况下，EF位于离开带边较远的禁带中，这时, f(E)可以用Boltzman分布函数近似表示。 本节讨论费米能级接近带边甚至进入能带的情况．如：在只含施主杂质的N型半导体中，在低温弱电离区，费米能级随温度的增加而上升到一极大值，然后逐渐下降．如果此值超过了导带底，则在费米能级达到极大值前后的一段温度范围内，半导体的费米能级实际上是进入了导带．这种情况必须用费米分布函数来分析能带中的载流子统计分布问题，称之为载流子的简并化，发生载流子简并化的半导体称为简并半导体． 讨论载流子简并化对载流子分布的影响： 3.6 简并半导体3.6.1 载流子浓度 导带电子浓度 引入无量纲的变数 和简约费米能级 再利用Nc的表达式，导带电子浓度为 其中 称为费米积分． 同理可得：价带空穴浓度 在非简并情况下，费米能级位于离开带边较远的禁带中，即 则： 3.6 简并半导体3.6.1 载流子浓度 3.6 简并半导体3.6.2 发生简并的条件 由图3－17可知，可以取η＝-２（或η＝０（费米能级与带边重合时）作为发生简并化的标准． ：属于非简并； ：属于弱简并； ：属于简并． 对于选定的简并化标准，依据半导体中载流子的状态密度有效质量和温度的数值，通过图形可以判断简并化发生的条件． 载流子简并化引起禁带变窄 杂质浓度高 电子相互间靠近，相互作用加剧 电子波函数重叠 杂质能级变能带 杂质电离能减小 杂质能带进入导带 形成新的简并能级 简并能带的带尾深入禁带 禁带变窄 3.6 简并半导体3.6.2 发生简并的条件 例题 室温下，半导