基于RFCMOS工艺低噪声放大器和功率放大器设计-电路与系统专业论文.docxVIP

ll 翩翩 IIIIlIllIl例 ，10/1192 杭州电子科技大学硕士学位论文 基于 RF CMOS 工艺低噪声放大器 和功率放大器设计 研究生:徐胜军 指导教师:程知群 教授 2011 年 3 月 Dissertation Submitted to Hangzhou Dianzi University for the Degree of Master Design of LNA and PA based on RF CMOS process Candidate: Xu Shengjun Supervisor: Prof. Cheng Zhiqun March，2011 摘要 随着无线通信技术的迅速发展和 CMOS 工艺的不断提高，使得基于 CMOS 工艺实现的 光线射频集成电路(盯 IC) 得到更加广泛应用，并向低成本、低功耗、小尺寸、南集成皮、 多标准、多频段的方向发展。并使得传统用 OaAs、BiCMOS 工艺实现的盯IC 已经可以在 CMOS 工艺上实现，并具有与数字基带电路集成的优势，为实现系统级芯片 (SoC) 奠定了 良好的基础。因此，本文基于 CMOS 工艺设计了一个工作在 900MHzJ1900MHz双频段低噪 声放大器和工作在 2.40Hz 的高效事 Doherty 功率放大器。 首先，介绍了课题背景、研究意义以及国内外双频段低噪声放大