第三章-半导体中载流子的统计分布(1)-王如刚(2015)..pptVIP

思路：强电离区 全部电离： 代入EF 未电离取10％ 2.5 简并半导体 1.简并半导体 费米能级进入导带（或价带）的情况（重掺杂条件下） 一般情况下：NDNc或者(ND－NA) Nc, EF在Ec下 在ND≥Nc时：EF与Ec重合或在之上，进入导带 饱和区 说明n型掺杂水平高，导带底附近的量子态基本上已被电子占据 导带中电子数目很多，f(E)远小于1 玻耳兹曼分布不成立 考虑泡利不相容原理的作用 不能用玻耳兹曼分布，必须用费米分布 载流子的简并化 同理可以讨论价带 2.简并半导体载流子浓度 费米积分 Ec=EF时，n0值已有显著差别 3.简并化条件 以EF与Ec的相对位置区分， 并作为简并化与非简并化的条件 以含一种施主杂质的n型半导体为例，讨论杂质浓度为多少时发生简并？ ？ 讨论 简并：ND必定是接近或者大于Nc；非简并NDNc。 发生简并时的ND与△ED有关，△ED↓，则杂质浓度较小时就会发生简并。 将 代入上式，可知对一定△ED和ND，T有2个解T1、T2，杂质浓度越大，发生简并的温度范围越宽。 即发生简并化有一个温度范围。 4.简并半导体的杂质能级 简并半导体是重掺杂 →单位体积内杂质原子数很多 →距离很近 →相邻杂质原子上的电子波函数将发生显著重迭 →束缚在杂质原子上的电子就可能在它们之间转移 →使孤立的杂质能级扩展为杂质能带 杂质能带产生的影响： 杂质能带 简并半导体中杂质能级示意图 Ec Ev Eg’ ED Eg a b 杂质能带出现使 ，当杂质浓度很高时，杂质能带与导带相连 当杂质能带与导带底相连时，形成新的简并导带，它的尾部伸入到禁带中，结果使简并半导体的 ，禁带变窄效应 导带中电子浓度为： 导带的有效状态密度 ,是温度的函数 非筒并条件下电子占据 能量为Ec的量子态的概率 如何理解？ 导带中所有量子态都集中在导带底Ec, 它的状态密度为Nc 则n0为Nc中有电子占据的量子态数 (2)非简并情况下，价带中空穴浓度 价带的有效状态密度 ,是温度的函数 非筒并条件下空穴占据 能量为Ev的量子态的概率 如何理解？ 价带中所有量子态都集中在价带顶Ev, 它的状态密度为Nv 则p0为Nv中有空穴占据的量子态数 小结 : 思考：推导空穴浓度表达式 温度、半导体材料的导电类型、杂质的含量以及能量零点的选取有关。 4.载流子浓度乘积n0p0 讨论： 电子和空穴浓度乘积和费米能级无关 。 一定的半导体材料（ Eg确定），n0p0是决定于温度T，与所含杂质无关。 T一定时， n0p0与Eg有关。 这个关系式适用于热平衡状态下的非简并半导体 （本征、 杂质半导体）。 T、半导体材料（Eg）确定后，n0p0一定， n0↑，p0↓ 2.3 本征半导体的载流子浓度 本征半导体：没有杂质和缺陷的半导体。 T=0K：价带全满，导带空 T0K：本征激发，电子和空穴成对出现，n0=p0 n0=p0 取对数 Nc、Nv代入 所得本征半导体的费米能级EF常用Ei表示 intrinsic 讨论: EF约在禁带中线附近 1.5k0T范围内 本征半导体费米能级Ei基本上在禁带中线处 例外：锑化铟，室温时Eg≈0.17eV, , Ei已远在禁带中线之上 本征载流子浓度 ： 一定的半导体材料(Eg)，ni随温度的升高而迅速增加。 同一温度T时，不同的半导体材料，Eg越大，ni越小。 说明：在一定温度下，任何非简并半导体的热平衡载流子浓度的乘积等于该温度时的本征载流子浓度ni的平方，与所含杂质无关，即上式适用于本征、以及非简并的杂质半导体。 本征： 非简并： 将Nc，Nv表达式代入 h、k0 的数值，电子质量m0 据此，作出 关系曲线，基本上是一直线 讨论： 一般半导体中，载流子主要来源于杂质电离，而将本征激发忽略不计。 在本征载流子浓度没有超过杂质电离所提供的载流子浓度的温度范围，杂质全部电离，载流子浓度是一定的，器件才能稳定工作。 每一种半导体材料制成的器件都有一定的极限工作温度，超过这一温度，本征激发占主要地位，器件就失效了。 硅器件的极限工作温度520K，锗（370K，Eg小），GaAs（720K，Eg比Si大），适宜于制造大功率器件。 本征载流子浓度随温度迅速变化，器件性能不稳定，所以制造半导体器件一般都用含有适当杂质的半导体材料。 从直线斜率可得T=0K时的禁带宽度Eg(0)=2k0×斜率 2.4 杂质半导体的载流子浓度 1.杂质能级上的电子和空穴