第七章 半导体器件..pptVIP

基区很薄，且掺杂浓度低； 发射区掺杂浓度比基区和集电区高得多； (3) 集电结的面积比发射结大。 三极管的工作状态：截止、放大和饱和 放大状态的条件：发射结正偏和集电结反偏。 放大区的特征：IC由IB决定，具有恒流的特性。 截止状态条件：基极开路或发射结反偏。 当三极管截止时，c、e之间的电压基本上等于UCC，而IC≈0，故三极管呈现出高电阻，c、e之间相当于断路。 饱和状态：发射结、集电结都正偏。 当三极管饱和时，无放大作用。 基极电流的变化不会再引起集电极电流的改变。 重要的HBT器件 SiGe/Si； GaAlAs/GaAs； InGaAs/InP 7.3.3 场效应晶体管（FET） 一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管； 而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。 FET应用范围很广,但不能说现在普及的双极型晶体管都可以用FET替代。 然而，由于FET的特性与双极型晶体管的特性完全不同，能构成技术性能非常好的电路。 场效应晶体管的类型 1. 结型FET（JFET） 2. 肖特基势垒栅（MESFET） 3. 绝缘栅FET（IGFET） JFET基本结构 JFET示意图 通过Gate来调节Channel电流的大小 JFET工作原理 （a）VD ＜ VP