第五章 场效应管放大电路 (2)..ppt

5.5.1绝缘栅场效晶体管（MOS） MOS管的特性 耗尽型 场效晶体管的主要参数 场效应三极管的型号 场效应三极管型号, 现行有两种命名方法。 第一种是与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料D是P型硅，反型层是N沟道；C 是 N 型硅P沟道。例如, 3DJ6D 是结型N沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。 几种常用的场效应三极管的主要参数见表 场效晶体管与双极型晶体管的比较 场效晶体管放大电路 1、自给偏压偏置电路 (2) 动态分析 场效应管放大电路小结 5.3 结型场效应管JFET (1)结型场效应三极管的结构 2 结型场效应三极管的工作原理 根据结型场效应三极管的结构，因它没有绝缘层，只能工作在反偏的条件下，对于N沟道结型场效应三极管只能工作在负栅压区，P沟道的只能工作在正栅压区，否则将会出现栅流。现以N沟道为例说明其工作原理。 5.3.2结型场效应三极管的特性曲线 JFET的特性曲线有两条，一是转移特性曲线，二是输出特性曲线。它与MOSFET的特性曲线基本相同，只不过MOSFET的栅压可正、可负，而结型场效应三极管的栅压只能是P沟道的为正或N沟道的为负。JFET的特性曲线如图所示。 各种放大电路性能比较 转移特性曲线用来描述vDS取一定值时，iD与vGS间的关系的曲线，反映了栅-源电压vGS对iD的控制作用。当vDS大于某一定的数值后，不同vDS的转移特性曲线很接近，近似认为转移特性曲线重合为一曲线。 2. 转移特性 作法如下：在输出特性中作一条vDS=10V的垂线，将此垂线与各条输出特性曲线的交点A、B和C所对应的iD、vGS的值转移到iD-vGS直角坐标系中，即可得到转移特性曲线。 ?????????? 2. 转移特性 转移特性曲线可以根据输出特性曲线绘出。 动画（2-6） 动画（2-7） ① 夹断电压VP (或VGS(off))： ② 饱和漏极电流IDSS： ③ 低频跨导gm： 3. 主要参数（与MOSFET管类似） 漏极电流iD约为零时的VGS值 。 VGS=0时对应的漏极电流。 低频跨导反映了vGS对iD的控制作用。 gm可以在转移特性曲线上求得，单位是mS(毫西门子)。 gm也可由 求导，即: 3. 主要参数 ⑤ 直流输入电阻RGS：漏源短路条件下，栅源之间加一定电压时的栅源直流电阻 对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω。 ⑧ 最大漏极功耗PDM ⑥ 最大漏源电压V(BR)DS ⑦ 最大栅源电压V(BR)GS ④ 输出电阻rds： 最大漏极功耗可由PDM= vDS iD决定，与双极型三极管的PCM相当。 各类场效应三极管的特性曲线 绝缘栅场效应管 N 沟 道 增 强 型 P 沟 道 增 强 型 绝缘栅场效应管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 结型场效应管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 习题5.3.3 N沟道JFET VP=-4V, IDSS=3mA （a）P沟道JFET （b）N沟道耗尽型MOSFET （c）P沟道耗尽型MOSFET （d）N沟道增强型MOSFET 分析图所示电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。 （h）可能 改正图所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。要求保留电路的共源接法。 （a）源极加电阻RS。 （b）漏极加电阻RD （c）输入端加耦合电容。 （d）在Rg支路加－VGG，＋VDD改为－VDD -VDD 5.3.2 FET放大电路的小信号模型分析法 1. FET小信号模型 （1）低频模型 共源接法时的双口网络 低频模型（λ≠0，rds为有限值） JFET作为电压控制器件，栅源间电阻rgs很大，栅源间近似看成开路 （2）高频模型（高频时，极间电容不能忽略） 1. 直流偏置电路 5.3.3 FET的直流偏置电路及静态分析 （1）自偏压电路 （2）分压式自偏压电路 vGS = - IDR 2. 动态指标分析 （1）中频小信号模型 VDS = VDD - ID (Rd + R ) 可解出Q点的VGS 、 ID 及 已知VP 、IDSS 由 Q点： VGS 、 ID 、 VDS 小信号等效电路 2. 动态指标分析 （2）中频电压增益 （3）输入电阻 忽略 rds， 由输入输出回路得 则 通常 则 负号表示反相（类似于共射电路） 当在