三元化合物的简单生长模型-物理学报-中国科学院物理研究所.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ， ， ， !% (### =,!%+=,?/@AB(### ／ ／ （ ）／ ###4(%#(###!%# #$.4#! 5*65789:;*5:;+;*5 !(###*B23,7BD,:=A, C !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! !#三元化合物的简单生长模型 唐璧玉 杨国伟 任志昂 蔡孟秋 （湘潭大学物理系，湘潭 ） !#$ （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） %%% $ %%% ’ ( 提出了 三元化合物生长的简单模型 结果表明：元素的表面覆盖率、总体生长率、 元素的生长率和化合 )*+ , + 物中含 量由 流量与 和 流量和之比决定，且总体生长率存在最大值 在 流量与 和 流量和之比为定值 + + ) * , + ) * 时，和 的流量比对此影响甚小，但 和 元素的生长率及它们在化合物中的含量则主要由 和 的流量比决 ) * ) * ) * 定, ： ； $% -$#* .#) ［］ 成时部分 % 分子的蒸发 因此 物质的生长 *+ , )*+ 引 言 是沉积过程中凝聚和腐蚀过程相互竞争的结果, 基于上述物理化学特征，只考虑一般的动力学 最近， 化合物激起了人们极大的研究兴 过程，忽略其中的细节，则生长表面上 ，， 三种 )*+ ) * + ［，］ 趣 ( ， 三元化合物介于六角 和石墨结构 元素的覆盖率变化方程可表示为 )*+ )+ ［］ 之间 ，具有丰富的半导体性质 并通过改变其化 , 0! * （ ） # ! $! %# ! %# ! ［，］ * ) + ) * + * 学配比和原子构图，其性能具有可控性 理论预 0!