第四章场效应管放大电路..pptVIP

4.1 结型场效应管; 场效应管是通过改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力的半导体器件。 它不仅具有双极型三极管的体积小、重量轻、耗电少、寿命长等优点，而且还具有输入电阻高、热稳定性好、抗辐射能力强、噪声低、制造工艺简单、便于集成等特点。因而，在大规模及超大规模集成电路中得到了广泛的应用。 根据结构和工作原理不同,场效应管可分为两大类:结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(MOSFET). 主要内容: (1)结型场效应管的结构及工作原理 (2)金属-氧化物-半导体场效应管的结构及工作原理 ;学习方法 学习本章内容时应特别注意使用比较和归纳的方法： 1.与三极管进行比较（两种管子的结构、工作原理、外特性、主要参数）。 2.不同类型（结型与绝缘栅型）、不同沟道的各种场效应管之间的比较与归纳（工作原理、电压极性、主要参数的比较等）。 ;场效应管与晶体管的区别;N沟道;结型场效应管的结构;1、结型场效应管（JFET)结构;2、结型场效应管（JFET)的工作原理;① VGS对沟道的控制作用;② VDS对沟道的控制作用;③VGS和VDS同时作用时;综上分析可知;# JFET有正常放大作用时，沟道处于什么状态？;① 夹断电压VP (或VGS(off))：;4 直流输入电阻RGS：;结型场效应管;增强型MOS场效应管;MOS场效应管;一、N沟道增强型MOS场效应管结构;二、N沟道增强型MOS场效应管工作原理; 当VGS较小时，虽然在P型衬底表面形成一层耗尽层，但负离子不能导电。 当VGS=VGS(th)(VT开启电压)时, 在P型衬底表面形成一层电子层，形成N型导电沟道，在VDS的作用下形成iD。; 当VGS＞VT，且固定为某一值时，来分析漏源电压VDS的不同变化对导电沟道和漏极电流ID的影响。;三、N沟道增强型MOS场效应管特性曲线;一、N沟道耗尽型MOS场效应管结构;各类绝缘栅场效应三极管的特性曲线;绝缘栅场效应管;2. 夹断电压VGS(0ff)：是耗尽型FET的参数，当VGS=VP 时,漏极电流为零。;7. 低频跨导gm ：反映了栅源压对漏极电流的控制作用。; 场效应管放大电路;一、场效应管偏置电路;偏置电路;偏置电路;二、场效应管的低频小信号模型 ;三、三种基本放大电路;基本放大电路;基本放大电路;ri;基本放大电路;基本放大电路;基本放大电路;组态对应关系：;输出电阻：; 解：;例题;;小 结;小 结;小 结;重点难点