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第五章 光电探测器和光接收机 光电检测器 第一节 光电检测器的工作原理－半导体光电效应 半导体材料的光电效应 截至波长与截至频率 第二节 光纤通信中常用的半导体光电探测器 PIN光电二极管结构示意图 二、雪崩光电二极管（APD） 1．APD的雪崩倍增效应 APD的雪崩倍增效应，是在二极管的P-N结上加高反向电压，在结区形成一个强电场；在高场区内光生载流子被强电场加速，获得高的动能，与晶格的原子发生碰撞，使价带的电子得到了能量；越过禁带到导带，产生了新的电子—空穴对；新产生的电子—空穴对在强电场中又被加速，再次碰撞，又激发出新的电子—空穴对……如此循环下去，形成雪崩效应，使光电流在管子内部获得了倍增。 APD就是利用雪崩效应使光电流得到倍增的高灵敏度的检测器。 2．APD的结构 目前APD结构型式，有保护环型和拉通（又称通达）型。 保护环型在制作时淀积一层环形N型材料，以防止在高反压时使P-N结边缘产生雪崩击穿。 拉通型雪崩光电二极管（RAPD）的结构示意图和电场分布如图5-4所示。 图5-4（a）所示的是纵向剖面的结构示意图。 图5-4（b）所示的是将纵向剖面顺时针转90°的示意图。 图5-4（c）所示的是它的电场强度随位置变化的分布图。 APD随使用的材料不同有几种：Si-APD（工作在短波长区）；Ge-APD和InGaAs-APD（工作在长波长区）等 RAPD的结构图和能带示