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- 2019-01-07 发布于天津
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Chapter3元件制作与量测系统介绍.PDF
Capter 3 量
3.1
GaAs/AlGaAs 利
度 金 ( 5 ) 利
度 金 ( 1~0.1 )
3.1.1
1.(mesa structure )
GaAs/AlGaAs
3.1
連
A
B
C
3.1 A (MESA) B (ohmic contact)
C 金 (gate)
18
(1)(photolithography) (2)(wet
etching) 流 :
(1)(photolithography)
a. 流 (standard cleaning process)
b. (spin coating):
AZ5214 利 (spinner)
度 :1000 r.p.m. 10
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