GIS局部放电信号及内置传感器检测分析.pdf

2004年12月 重庆大学学报(自然科学版) Dec．2004 of 第27卷第12期 Joumal Science V01．27 ChongqingUniversit)，(NQturQlEdition) No．12 文章编号：1000—582x(2004)12—0032—05 GIS局部放电信号及内置传感器检测分析‘ 唐 炬1，彭文雄1，孙才新1，侍海军2，许中荣1 (1．重庆大学高电压与电工新技术教育部重点实验室，重庆加0030； 2．江苏省苏州供电公司常熟供电局，江苏常熟215004) 瞬变电场的计算表达式，在计算CIS中PD激发的电场时，应考虑’rEM波和检测频段内所有高次模波的 贡献。在实验室GIS模拟装置上，设计了灵敏度及抗干扰能力优于外置传感器的内置传感器，并用天线 模型对其进行了频率响应特性分析，最后直接用高参数数字存储示波器测量了由金属突出物缺陷产生 的局部放电信号。 关键词：气体绝缘组合电器；局部放电；电磁波；传感器；响应特性 中图分类号：TM835 文献标识码：A 在GIS内部，由于生产制造或者长期运行过程中 GIs中发生局部放电时，PD将激发横向电磁场波 出现的潜伏性绝缘缺陷，可能导致不同程度的局部放 电。GIS内部局部放电总是在小范围里发生，且具有 计算GIs中PD在任意点激发的瞬变电场时要考虑各 极快的击穿特性。这种持续时间极短的陡脉冲，包含 种波型的贡献。 了从低频到1GHz频率成分的能量分布，局放脉冲所 由于PD脉冲的等值频率极高，采用常用的电场 激发的电磁波不仅以横向电磁波(TEM)形式传播，而 数值计算方法计算该电场存在相当的难度HJ。笔者 且会建立横向电场波(，IE)和横向磁场波(TM)…。引入并矢格林函数理论，导出了该电场的计算公式。 通过对GIs局部放电在线监测，可以有效地监视 由于实际GIs中的工频电场沿径向分布，为简化计算， CIS绝缘状况，并及时发现内部绝缘缺陷。由于局部 可以认为PD电流只沿径向流动，而且只发生在局部 放电信号微弱，而且等值频率极高，因而要求传感器有 区域，不考虑工频电磁场的影响。 很高的灵敏度和良好的频率响应特性。目前，国外普 理想同轴波导中任意电流分布激发的瞬变电场可 遍采用将传感器装设在GIS内部【2】，传感器为电容型 由下式表示∽J： 探头，一般为圆板型结构，国内则采用外部天线H“J， ^■《毒 I足’)J(露’)dy’(1) 与内部传感器相比，外部天线的灵敏度和抗干扰能力 E(R)=j“弛ⅢG(R M 较差。 t 笔者首先分析了GIs局放脉冲激发的电磁信号及 其传输特性，利用实验室GIS模拟装置，设计制作了两 种结构的内置传感器，以天线模型分析传感器的超高 向量；0(足I欠’)为适用于同轴波导结构的第一类并矢 频频率响应特性，并对GIS模拟装置内金属