第9章半导体传感器.pptVIP

图9-12 MgCr2O4-TiO2陶瓷湿度传感器湿度传感器的结构相对湿度与电阻的关系 （2）ZnO-Cr2O3陶瓷湿敏元件  构成：ZnO-Cr2O3湿敏元件的结构是将多孔材料的金电极烧结在多孔陶瓷圆片的两表面上，并焊上铂引线，然后将敏感元件装入有网眼过滤的方形塑料盒中用树脂固定，其结构如图9-13所示。   特点：ZnO-Cr2O3传感器能连续稳定地测量湿度，而无须加热除污装置，因此功耗低于0.5Ｗ，体积小，成本低，是一种常用测湿传感器。 图9-13 ZnO-Cr2O3陶瓷湿敏传感器结构 （3）四氧化三铁（Fe3O4）湿敏器件 组成：四氧化三铁湿敏器件由基片、电极和感湿膜组成，器件构造如图9-14 所示。 基片：材料选用滑石瓷，光洁度为10~11，该材料的吸水率低，机械强度高，化学性能稳定。 电极：基片上制作一对梭状金电极，最后将预先配制好的Fe3O4胶体液涂覆在梭状金电极的表面，进行热处理和老化。 胶膜：Fe3O4胶体之间的接触呈凹状，粒子间的空隙使薄膜具有多孔性，当空气相对湿度增大时，Fe3O4胶膜吸湿，由于水分子的附着，强化颗粒之间的接触，降低粒间的电阻和增加更多的导流通路，所以元件阻值减小。当处于干燥环境中，胶膜脱湿，粒间接触面减小，元件阻值增大。当环境温度不同时， 涂覆膜上所吸附的水分也随之变化，使梭状金电极之间的电阻产生变化。 图9-14 Fe3O4湿敏元件构造 图9-15 MCS型Fe3O4湿敏器件的 图9-15和图9-16分别为国产MCS型Fe3O4湿敏器件 的电阻-湿度特性和温度-湿度特性。 图 9-16 MCS型Fe3O4湿敏器件的 特点：Fe3O4湿敏器件在常温、常湿下性能比较稳定，有较强的抗结露能力，测湿范围广，有较为一致的湿敏特性和较好的温度-湿度特性，但器件有较明显的湿滞现象，响应时间长，吸湿过程（60%RH→98%RH）需要2min，脱湿过程（98%RH→12%RH）需5～7 min。 9.3 色 敏 传 感 器 9.3.1 半导体色敏传感器的基本原理 半导体色敏传感器（又称光电双结二极管）相当于两只结构不同的光电二极管的组合，其结构原理及等效电路如图9-17所示。 图 9-17 半导体色敏传感器结构和等效电路图 1. 光电二极管的工作原理 硅制造的光电二极管在受光照射时，若入射光子的能量hυ＞硅的禁带宽度Eg→则光子就激发价带中的电子跃迁到导带而产生一对电子-空穴。这些由光子激发而产生的电子-空穴统称为光生载流子。光电二极管的基本部分是一个ＰＮ结，产生的光生载流子只要能扩散到势垒区的边界，其中少数载流子（专指P区中的电子和N区的空穴）就受势垒区强电场的吸引而被拉向对面区域，这部分少数载流子对电流作出贡献。多数载流子（P区中的空穴或N区中的电子）则受势垒区电场的排斥而留在势垒区的边缘。 在势垒区内产生的光生电子和光生空穴，则分别被电场扫向N区和P区，它们对电流也有贡献。 图 9-17 半导体色敏传感器结构和等效电路图 用能带图来表示上述过程，如图9-18（a）所示。图中Ec表示导带底能量；Ev表示价带顶能量。 “。”表示带正电荷的空穴； “·”表示电子。IL表示光电流，它由势垒区两边能运动到势垒边缘的少数载流子和势垒区中产生的电子-空穴对构成，其方向是由N区流向P区，即与无光照射PN结的反向饱和电流方向相同。 图9-18 光照下的PN结 （a） 光生电子和空穴的运动， 光电流产生； （b）外电路开路，光生电压出现 当PN结外电路短路时，这个光电流将全部流过短接回路， 即从P区和势垒区流入N区的光生电子将通过外短接回路全部流到P区电极处，与P区流出的光生空穴复合。因此，短接时外回路中的电流是IL，其方向由P端经外接回路流向N端。这时，PN结中的载流子浓度保持平衡值，势垒高度（图9-18（a））中的q(UD-U)亦无变化。 图9-18 光照下的PN结 （a） 光生电子和空穴的运动， 光电流产生； （b）外电路开路，光生电压出现 当PN结开路或接有负载时，势垒区电场收集的光生载流子便要在势垒区两边积累，从而使P区电位升高，N区电位降低， 造成一个光生电动势，如图9-18（b）所示。该电动势使原PN结的势垒高度下降为q(UD-U)。其中U即光生电动势，它相当于在PN结上加了正向偏压。只不过这是由光照形成，而不是电源馈送的， 这称为光生电压， 这种现象就是光生伏特效应。  图9-18 光照下的PN结 （a） 光生电子和空穴的运动， 光电流产生； （b）外电路开路，光生电