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多晶硅生产工艺 硅材料概述 硅材料元素含量丰富、化学稳定性好、无环境污染， 又具有良好的半导体材料的特性。 硅材料有单晶硅、多晶硅和非晶硅。 多晶硅是制备单晶硅、铸造多晶硅的原料，也是半导体和太阳能光伏产业的物质基础。 硅材料是最重要且应用最广泛的元素半导体。 硅材料物化参数 色泽；晶体钢灰色，无定型为黑色 密度2.4g／cm3，熔点1420℃，沸点3415℃ 晶体硅属于原子晶体，硬而有光泽，有半导体性质 物理性质 硅石化学性质比较活泼，高温下能与氧气等多种元素化和，不溶于水、硝酸和盐酸，溶于氢氟酸和碱液，用于制造合金如钢铁、硅钢等，单晶硅用于制造大功率晶体管、整流管、太阳能电池等。 硅的用途；1.高纯的单晶硅是重要的半导体。2.金属陶瓷、宇宙航天材料。3.光导纤维通信，最新的的现代通信手段。4.性能优异的硅有机化合物。 多晶硅相关产业链 多晶硅主要生产技术路线介绍 （改良）西门子法——三氯氢硅氢还原法 硅 烷 法—硅烷热分解法 流化床法—正在研究中… 改良西门子法工艺流程 西门子法生产多晶硅主要工序 原料气的制备（H2、HCl） 三氯氢硅的合成 三氯氢硅的精制提纯 三氯氢硅的加氢还原 四氯氢硅的氢化 分离净化炉中尾气（H2、HCl、SiHCl3、SiCl4） 多晶硅的破碎、净化、包装等后续处理 粗 硅 制 备 SiO2 + 2 C → SiC + 2 CO 2SiC + SiO2 → 3Si + 2CO 原料硅有石英砂（二氧化硅）在 电炉中用碳还原 反应温度 1600 ～1800℃ 含杂质 Fe、 Al、C、 B、 P 等。 其中Fe含量最大 纯度3～4个9 粗 硅 提 纯 方 法 ―酸 浸 法 多数杂质（Fe、Al、B、C、P、Cu等）离析在晶粒周围，呈硅化物或硅酸盐状态，一般可以用酸洗溶解，而硅不溶。 常用酸：HCl、HNO3、HF 王水以及不同组合的酸， 在酸中加入Fe3+，加速溶解 升高温度，采用小粒硅粉，对提纯有利 原料气 的制备 氢气和氧气在电解槽经电解盐水溶液制得 反应式 2H2O = 2H2 ↑ + O2 ↑ 净化流程：氢气 （来在反应） 冷却 分离液体 催化（活性铜）除氧 吸附干燥器 氢气储液罐 氧气—经冷却、分离液体、送入氧气贮罐 氯化氢的合成工序 氯气（液氯汽化）+氢气 合成炉 空气冷凝器 水冷却器 深冷却器 雾沫冷却器 储罐 送往三氯氢硅合成工序 三氯氢硅的合成 工业硅与无水氯化氢在300℃，0.45MPa，和混合有Cu5％硅合金在流化床反应器中发生反应，生成拟溶解的三氯氢硅。 其反应式 Si + 3 HCl → SiHCl3 + H2 同时形成气态混合物 H2、SiCl4 、HCl、Si、 SiHCl3，此混合气体被称为三氯氢硅合成气。 经三级旋风除尘器（除去未反应的硅粉）送入 湿法除尘系统（洗涤液四氯化硅）除去气体中 细小硅尘、通湿氢气与气体接触，使其中金属 氧化物发生水解而被除去，送往合成气干法分 离工序。 三氯氢硅的还原沉淀 精制的三氯氢硅被热水加热汽化在汽化器和来自循环氢气混合发生反应 氢化反应同时还生成二氯二氢硅、四氯氢硅、氯化氢和氢气。 未反应的三氯氢硅和氢气一起送出还原炉，经还原尾气冷却器用循环水冷却水冷却后，送往还原尾气干法分离工序。 净化后的 三氯氢硅采用高温还原工艺，高纯度 的SiHCl3在H2气氛中 还原沉淀生成多晶硅。 其反应式： SiHCl3 + H2= Si+2HCl 多晶硅反应器是密闭的，用电加热硅池硅棒，在1050 —1100℃的硅棒上生长。 还原尾气干法分离 来自还原炉的尾气 换热器 脱氧换热器（钯催化） 水 压缩机 冷凝器 分 馏 塔 精 馏 塔 送往SiCl4氢化工序 返回还原炉制备多晶硅SiHCl3 分离柱 氢气 氯化氢精制 四氯化硅氢化工序 经干法分离提纯工序精制的四氯化硅送入本工序汽化器，与被热水加热的循环氢气形成混合器气体进入氢化炉内，在通电的电极表面发生反应。 反应式 SiCl4 + H2 = SiHCl3 + HCl 反应生成的混合气体送往氢化干法分离工序 从四氯化硅氢化工序来的氢化气与 三氯氢硅合成的干法分离工