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HIC MCM 和 SIP 电子科技大学 杨邦朝 2008.11.4 昆明 目 录 1.前言 电子整机的微小型化主要体现在其尺寸小，厚度薄，重量轻上（即所谓短、小、轻、薄）体现在它们的高性能、多功能、高可靠、便携化、卡片化上 二者互为需求与牵引，密切结合、相互促进、协 发展、共同提高、推动并引领着电子整机与系统微小型化发展的大趋势。 HIC是实现电子元件与器件集成化的重要形式与技术手段。主要追求电路的模块化与电子元器件的集成化，它也是推动与实现SIP的重要基础 SIP强调的是将一个尽可能完整的电子系统或子系统高密度地集成在一个大小只有封装尺寸的体积内 。是当前倍受广泛关注的电子系统集成化技术，是HIC发展的重要方向。 2. HIC 薄膜HIC的工艺技术，决定了它适合制作对元件参数精度高、参数范围宽的高频、射频乃至微波集成电路。 厚膜混合HIC则应采用厚膜浆料经高温烧结形成元件与布线，所以特别适合制作耐高温、大功率、低成本的（相对于薄膜）的电路模块。二者均属于二次集成技术范畴。 由于混合集成电路具有体积小、重量轻、可靠性高等特点，因此受到人们的青睐。混合集成 已发展成为一门独立的集成技术。混合集成电路作为微电子领域的一个重要分支，与半导体集成电路产业同步发展,互为补充。 HIC的发展首先得益于军事电子装备的高性能、多功能、小型化、高可靠的要求，继之受到计算机等消费类电子工业的发展而牵引，到2O世纪8O代后期．HIC日渐成熟，迅速向消费类行业、通讯行业、汽车行业等渗透，应用领域逐渐扩大，产品种类和产量不断增加。 3 MCM MCM 在增加组装密度，缩短互连长度，减少信号延迟时间、减小体积、减轻重量、提高可靠性等方面，具有明显的优点。它是目前能最大限度发挥高集成度、高速单片IC性能、制作高速电子系统，实现电子整机小型化、多功能化、高可靠、高性能的最有效途径。 MCM 原则上应具备以下条件： 1)多层基板4层以上的导体层； 2)封装效率(芯片面积／基板面积)20％ ； 3)封装外壳有100个以上的I／O引出线。 除了以上三个条件以外，还有一些其它附加条件，如布线密度每英寸从250根到500根，有多个ASIC和／或VLSI等。 3.2 MCM的种类及特征 MCM的分类 MCM的典型结构类型 MCM－L（Laminate） L型（叠层型）多芯片组件：采用高密度多层印制板（PCB）构成的MCM。 特点：成本低 工艺成熟 布线密度不高 封装效率和性能较低 应用：消费类电子产品、个人计算机 MCM－C（Ceramic） C型（厚膜陶瓷型）多芯片组件：采用高密度厚膜多层布线陶瓷基板或共烧陶瓷多层基板构成。 特点：布线层数高 布线密度高 较高封装效率和优良的性能 应用：多用于高可靠产品 MCM－D（Deposition） D型（淀积薄膜型）多芯片组件：采用高密度薄膜多层布线基板构成，是一种高级的多芯片组件。 特点：布线线宽和间距更小 更高的布线密度、可靠性 更高的封装效率 更优良的传输特性 成本高 基板：Si、陶瓷、金属 应用：高组装密度、高性能产品，但成本较高。 MCM－Si（Silicon） Si型（硅基型）多芯片组件：采用硅基薄膜多层布线所构成，属MCM－D的一种特例。 特点：布线更细（可达5μm） 布线密度很高（可达79线/μm ） 与IC芯片的热匹配性好 MCM－C/D 混合型多芯片组件：实质上是MCM－C和MCM－D两种工艺技术的结合，兼有两者的优点，即采用共烧陶瓷多层基板+薄膜多层布线→混合多层布线基板 薄膜多层布线－－信号线 共烧陶瓷多层基板－－载体 电源层 接地层 I/O引出端 MCM－C/D结构示意图 混合多层基板分类 各类MCM特性对比 国内MCM技术水平 4.1 SIP的技术本质： 以微磁电元器件和微电子器件为中心的系统级封装（SIP）的技术实质：是将各类电子元器件，按设定电路系统要求，在功能性基板上，进行电子元器件的高密度电磁功能集成。 4.2 SIP的定义： 4.3 基于微磁电集成元器件为中心的SIP集成系统的特点： 微磁电集成元器件是基于电磁效应的，特征尺寸在0.1到数毫米的新型集成元器件。 微磁电集成元器件技术是微波/射频技术的重要组成部分，是随着微电子技术