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第 14 章 上页 下页 北京工业大学耿丹学院 第 14 章 上页 下页 北京工业大学耿丹学院 第 14 章 上页 下页 北京工业大学耿丹学院 第15章 基本放大电路 第15章 基本放大电路 北京工业大学 北京工业大学 * * 1. 在杂质半导体中多子的数量与 （a.掺杂浓度,b.温度）有关。 2. 在杂质半导体中少子的数量与 （a.掺杂浓度,b.温度）有关。 3. 当温度升高时，少子的数量 （a.减少， b 不变,c 。增多）。 a b c 4. 在外加电压的作用下， P 型半导体中的电流 主要是 ， N 型半导体中的电流主要 。 （a电子电流,b.空穴电流）。 b a 返回 14.2.2 PN结的单向导电性 PN 结加上正向电压、正向偏置的意思都是： P 区加正、N 区加负电压。 PN 结加上反向电压、反向偏置的意思都是： P区加负、N 区加正电压。 * * 两个二极管的阴极接在一起 取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。 V1阳 =－6 V ， V2阳=0 V ， V1阴 =V2阴= －12 V UD1 = 6V，UD2 = 12V ∵ UD2UD1 ∴ D2 优先导通， D1 截止。 若忽略管压降，二极管可看作短路， UAB=0 V 例 3: D1 承受反向电压为－ 6 V 流过 D2 的电流为 求： UAB D2 起钳位作用， D1 起隔离作用。 B D1 6V 12V 3k? A D2 UAB + – 返回 * * 在图14.07中， E = 20 V，R1 = 900?，R2 = 1100?。稳压二极管Dz的稳定电压Uz = 10 V，最大稳定电流IZM = 8 mA。试求稳压二极管中通过的电流Iz，是否超过IZM? 如果超过怎么办? P29 14.4.1 例 5： ①求IZ：设流过R1的电流为I1,流过R2的电流为I2， 则I1=I2+IZ。由于 即没超过IZM。 ②如果超过了IZM，说明R1取值太小，可根据 确定： 即 时，就不会超过IZM了。 要求：当输入电压由正常值发生?20%波动时，负载电压基本不变。 稳压二极管的应用举例 uo iZ DZ R iL i ui RL 解：令输入电压达到上限时，流过稳压管的电流为Izmax 。 求：电阻R和输入电压 ui 的正常值。 ——方程1 例 6 ： 令输入电压降到下限时，流过稳压管的电流为Izmin 。 ——方程 2 uo iZ DZ R iL i ui RL 联立方程1、2，可解得： 方程1 * * 14.5.1 基本结构 返回 C E 发射区 集电区 基区 集电结 发射结 N N P 基极 发射极 集电极 B * * 晶体管电流测量数据 IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 结论: (1) IE = IB + IC 符合基尔霍夫定律 (2) IC ?? IB ， IC ? IE (3) ? IC ?? ? IB 基极电流的微小变化能够引起集电极电流 较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质: 用一个微小电流的变化去控制一个较大电流 的变化。 C E T B IB IE IC * * + UBE ? IC IE IB C T E B ? ? ? ? + UCE ? (a)NPN 型晶体管； + UBE ? IB IE IC C T E B ? ? ? ? + UCE ? 电流方向和发射结与集电结的极性 (4)要使晶体管起放大作用，发射结必须正向 偏置，集电结必须反向偏置。 (b)PNP 型晶体管 返回 * * 在图14.08所示的各个电路中，试问晶体管工作于何种状态? P28 14.5.4 例 10 ： * 第15章 基本放大电路 15--* +UCC RS es RB RC C1 C2 T + + + – RL ui + – uo + – + + – uBE uCE – iC iB iE 画出下图放大电路的直流通路 直流通路 直流通路用来计算静态工作点Q ( IB 、 IC 、 UCE ) 对直流信号电容 C