基于cmos工艺的低压基准源设计-电路与系统专业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 摘要论文题目：基 摘要 论文题目：基于 CMOS 工艺的低压基准源设计 学 科 名 称：电路与系统 研 究 生：刘新丽 签 名： 指导教师：余宁梅 教授 签 名： 摘 要 基准源是保证集成电路能够正常工作的重要电路模块。随着微电子技术的发展， 集成电路的特征尺寸不断减小，电源电压不断降低，在很多低功耗集成电路中再使用 电压模带隙基准源电路已经不能满足低压低功耗集成电路应用需要。对于电流模带隙 基准源和亚阈值基准源进行设计很有必要。 本论文设计的电流模基准源和亚阈值基准源均由启动电路、运算放大器、正温度 系数产生模块及负温度系数产生模块构成。在基准电路启动后，启动电路自动与基准 源核心电路断开，但是仍然还会有很小的电流流过，运算放大器采用折叠共源共栅结 构，并通过计算分析，确定了正负温度系数产生模块中器件的参数，保证输出的基准 电压是零温度系数的电压。本论文采用 UMC 的 110nm 标准 CMOS 工艺，完成了各电路模 块和整体电路的设计，并通过 Spectre 对电路进行了仿真。在此基础上，完成了电流 模基准源和亚阈值基准源的版图设计，进行了后仿真，并将后仿结果与前仿真进行了 比较分析。 最终完成的两种基准源的性能参数为：电流模基准源和亚阈值基准源中的放大器 的增 益在 低频 时分 别 为 88.18dB@TT@27°C 和 82.91dB@TT@27°C； 相位裕度分别为： 83.56deg@TT@27°C 和 60.27deg@TT@27°C；基准源在温度范围为-40°C~90°C 时，温漂 系数分别为 1.1036ppm/°C@TT 和 19.978ppm/°C@TT；基准源电路在 1KHz 以下条件时电源 电压抑制比均都小于-60dB@TT@27 ° C ；功耗分别为 114.255 μW @TT@27 ° C 和 90.012 μW @TT@27°C。本论文设计的两种基准源的性能达到了设计指标的要求。 关键字：亚阈值；基准源；MOS；温度系数；电源电压抑制比；低电源电压 I 西安理工大学硕士学位论文 西安理工大学硕士学位论文 II Abs Abstract Title:THE DESIGN OF LOW VOLTAGE REFERENCE BASED ON CMOS PROCESS Major：Electronic circuit and system Name：Xinli LIU Signature: Supervisor：Prof. Ningmei YU Signature: Abstract Reference source is important circuit module that ensure the integrated circuit can work properly.With the development of microelectronics technology, the characteristics size of the integrated circuit decreases continuously, supply voltage lowering, Voltage mode the current reference source reference source circuit has already cant meet the needs of the low voltage and low power integrated circuit applications In many low power integrated circuit..So current mode the current reference source reference source and the benchmark threshold value source design is necessary. The circuit of the current mode reference source and the threshold reference contain starting circuit, operational amplifier, The module of positive temperature coefficient and the negative temperature coefficient.When the circuit is started , the starting circuit is break with the main reference circuit.But there are still a small cur