基于bitmap工具的sdram晶圆失效分析-电子与通信工程专业论文.docxVIP

论文独创性声明本论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。论文中除 论文独创性声明 本论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。论文中除 了特别加以标注和致谢的地方外，不包含其他人或其它机构己经发表或撰写过的 研究成果。其他同志对本研究的启发和所做的贡献均已在论文中作了明确的声明 并表示了谢意。 作者签名 塑担! 日期： 论文使用授权声明 本人完全了解复旦大学有关保留、使用学位论文的规定，即：学校有权保留 送交论文的复印件，允许论文被查阅和借阅；学校可以公布论文的全部或部分内 容，可以采用影印、缩印或其它复制手段保存论文。保密的论文在解密届遵守此 规定。 作者签名：丝盗墨 导师签名： B期；咝!! 摘 摘 要 在半导体制造业高度激烈的市场竞争中，如何将成品率快速提升是企业生 存的关键。sDRAM是一种高密度的存储器件，可以通过电性测试，并且运用 bitrllap这一有效工具诊断出其具体的失效区域，通过进一步的物性失效分析来 找出工艺上失效的原因。 本论文开展了对0．2岫64M sDRAM产品良率提升的工作，研究学习了该 种器件的工作原理，然后从工艺和版图的特性入手，将可能出现的失效模式进 行归类，并通过测试实验方法，特别是加强对Bjhllap的分析来做进一步的分析 和判断，最后利用物性失效手段进行验证。在以往的工作中Bitma口被视为很用 用的定位失效点的工具，在本课题的研究中发现，深入对Bitm印信息的解读可 以得到更多有用的信息来辅助对失效模式的诊断，从而提高判断的正确性。这 种带有预判性的失效解析思路，可以有效的提高失效分析的准确度，缩短失效 分析工作的时间，从而快速提升产品良率，为企业带来直接的经济效益。 本文共分为五章，第一章对失效分析在半导体生产中的作用和地位进行了 阐述，对失效分析的一般流程进行说明。引出对SDAR AM器件的失效分析的 研究；第二章，对失效分析过程中应用到的物性失效和电性失效的实验方法做 简单的介绍和研究；第三章，先对sD黜蝴器件的工作原理、版图和进行研究 和分析，结合实际案例对不同的失效案例进行说明，重点对硬失效故障的分析 进行研究和阐述。同时深入对BitInap在分析过程中的重要性来加以体现和说 明；第四章，对不同的软失效故障的模式进行研究和分析，结合实际案例进行 阐述和说明；第五章，总结了SDRAM晶圆失效分析的方法和流程，对从中得 到的经验和研究方法借鉴到其他的器件分析的工作中去进行了展望。 关键词：Bitmap sDR．AM失效分析 AbstractIn Abstract In the highly competitive，hi曲Volume，semjconductor manufacturing industry， ascending the yield curve as rapidly船possible is paramount for sunriVal．SDRAM is one kind of higb deⅡsity memory device．The local fail on SDRAM can be eaSily identmed based on electrical failure analysis result and bitnlap a11d then by using physical failure aⅡalysis t11e EFA result caⅡbe Verified aIld finally me root cause of failure in Process issue can be found Out． Tlhis p印er carries out the work on yield enhancement of 0．2um 64M SDRAM product．PrOcess and circuit 1ayout were analysed触tly，based on which the failllre model that may occur during the process w髂summed up姐d predicfed．In real cases， enou曲EFA data analysis were made and nle∞ndusion w龉validated throu曲PFA methodology．IIl Ihis paper，bitnl印will not only be used as a妇ld of t∞l￡o locate issue address．From it we can get more and more informadon which will be very he蛳