光电检测课发光电成像器件.pptVIP

  1. 1、本文档共98页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  5. 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  6. 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  7. 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  8. 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
光电检测课发光电成像器件

5 光电成像器件 第一节、概述 第二节、光电成像原理 第三节、真空摄像管 第四节、电荷耦合器件 一、CCD单元结构 二、电荷存储 三、电荷转移 四、电荷的注入与检测 五、CCD的特性参数 六、电荷耦合摄像器件 第五节、变像管和像增强管 一、典型结构与工作原理 二、性能参数 三、变像管 四、像增强管 现在固件摄象器件中的感光元件都是用半导体硅材料来作的,所以灵敏范围为0.4 μm ~1.15μm左右,但光谱特性曲线不象单个硅光电二极管那么锐利,峰值波长为0.65 μm ~0.9μm左右。 在低照度下,CCD的输出电压与照度有良好的线性关系。照度超过1001x以后,输出有饱和现象。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 电荷耦合摄像器件是用于摄像或像敏的器件,简称ICCD。它的功能是把二维光学图像信号转变成一维时序的视频信号输出。 它的工作原理是用光学成像系统将景物图像成像在CCD的像敏面上,像敏面将照在每一像敏单元上的图像照度信号转变为少数载流子数密度信号存储于像敏单元中。然后,再转移到CCD的移位寄存器(转移电极下的势阱)中,在驱动脉冲的作用下有顺序地移出器件,成为视频信号。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 实用固体摄象器件都是在一块硅片上同时制作出光电二极管阵列和CCD移位寄存器两部分。光电二极管阵列专门用来完成光电变换和光积分, CCD移位寄存器专门用来完成光生电荷转移。因为这种转移不是借助于外来的扫描,而是依靠驱动脉冲来完成的,故也称为自扫描。根据光敏象素的排列方式,CCD摄象器件分为线阵列和面阵列两大类。 线型器件可以直接接受一维光信息,而不能直接将二维图像转变为视频信号输出。为了得到整个二维图像的视频信号,就必须用扫描的方式来实现。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. ⑴线型CCD摄像器件: 特点:单侧传输的特点是结构简单,但电荷包转移所经过的极板数多,传输效率低。双侧传输的特点是结构复杂一些,但电荷包转移所经过的极板数只是单侧传输的一半,所以损耗小,传输效率高。一般光敏元位数少的片子,多采用单侧传输结构,而位数多的片子,则多采用双侧传输结构。 结构种类:对于线阵列CCD摄象器件来说,不论是三相的还是二相的,都有单侧传输和双侧传输两种结构形式。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 工作过程: ①光电二极管阵列和CCD移位寄存器统一集成在一块半导体硅片上,分别由不同的脉冲驱动。设衬底为P-Si,光电二极管阵列中各单元彼此被SiO2隔离开,排成一行,每个光电二极管即为一个象素。各光电二极管的光电变换作用和光生电荷的存储作用,与分立元件时的原理相同。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 如图中φp(行扫描电压)为高电平时,各光电二极管为反偏置,光生的电子空穴对中的空穴被PN结的内电场推斥,通过衬底入地,而电子则积存于PN结的耗尽区中。在入射光的持续照射下,内电场的分离作用也在持续地进行,从而即可得到光生电荷的积累。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. ??? ②转移栅(φx)由铝条或多晶硅构成,转移栅接低电平时,在它下面的衬底中将形成高势垒,使光电二极管阵列与CCD移位寄存器彼此隔离。转移栅接高电平时,它下面衬底中的势垒被拆除,成为光生电荷(电荷包)流入

文档评论(0)

180****5152 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档