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– TEM
(Transmission Electron Microscopy TEM )
1936
(volts)
(B)
100keV~1MeV100nm
(Transmitted Electron)(Elastic Scattered Electron)
(Diffraction Pattern DP)(A)(C)
(100nm)
X(Energy Dispersive Spectroscopy EDS)
(Electron Energy Loss Spectroscopy EELS)
(D)JEOL-
2000FXXX
A C
Dielectric Layer
Si Substrate 1.0 µm
(2003.03)
B
V1:
(2001.06)
V2: D
X
E –∆E E0
0
(Energy Filter)
E0–∆E
E0
(A)(Cross-section TEM Image) (B)
(C)(High-resolution TEM Image)
(Diffraction Pattern; DP) (D)
(JEOL-2000FX)
Gatan
(Energy Filter)
(Inelastic Scattered Electron)
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